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[参考译文] BQ24780S：MOSFET 最小 Vgs 阈值电平

admin
Guru**** 2558250 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/910461/bq24780s-mosfet-minimum-vgs-threshold-level

器件型号：BQ24780S

您好！

我们 是否分别针对高侧和低侧设置了“MOSFET 最小 Vgs 阈值水平”参数？  请查看下面的(红色圆圈)作为另一个芯片的示例。  谢谢！

安东尼

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    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Anthony、

    我们在数据表中没有将最大和最小阈值作为参数。

    驱动器通常在0V 至6V 之间驱动、但有几个例外。  对于非常低的占空比、BTST 电容可能会下降至4.7V 标称值、即刷新阈值。  这将是高侧 FET 的导通。  此外、如果您有5V 输入、REGN 将调节为4.6V 典型值、用于开启高侧和低侧 FET。  这将是驱动高侧 FET 的电压。  因此、4.5V 时的 R_DSON 是关键参数。  要在4.5V 时获得良好的 R_DSON、您可能需要2.0V 或更低的阈值。  

    我建议阈值范围为1.2V - 2.0V。 EVM 上的 FET 的阈值为1.3V。

    此致、

    Steve  

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    TI__Guru**** 2558250 points
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    您好、Steve、

    感谢您的评论。  我看到我们将死区时间通常定义为20ns 左右。  您能否提供有关我们如何控制高侧和低侧 FET 以确保死区时间约为20ns 的说明？

    谢谢、

    安东尼

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Anthony、

    数据表中针对高电平到低电平和低电平到高电平转换引用的20nS 典型死区时间是驱动器的死区时间。  这不考虑 FET 的特性、例如阈值、栅极电容等  如果高侧 FET 关断、而低侧 FET 导通、 然后、高侧 FET 将首先关闭(驱动器将开始将 HIGATE 驱动为低电平)、20nS 之后、低侧 FET 将开始开启(驱动器将开始将 LOGATE 驱动为高电平)。

    关 断速度比导通速度快、因为驱动器的关断电阻比导通电阻低。  例如、高侧驱动器的导通电阻典型值为6欧姆、关断电阻典型值为0.9欧姆。  这意味着任何增加的栅极电容都会延长死区时间。  不过、相对于器件死区时间、它通常是一个较小的扩展。  如果有500pF Ciss 输入电容、则导通时间常量为3ns、关断时间常量为0.45nS。  因此、这会将器件的20nS 再延长~2.5nS。

    此致、

    Steve