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[参考译文] LMG1210:BST 二极管电容如何影响自举电路中的损耗/充电时间等?

Guru**** 2514845 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1164925/lmg1210-how-does-bst-diode-capacitance-affect-loss-charging-time-etc-in-a-bootstrap-circuit

器件型号:LMG1210

谢谢!

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    您好、胜利、

    较小的二极管电容可降低二极管的反向恢复电荷。 反向恢复电荷越少、二极管的状态变化速度越快、二极管的开关速度也越快。 我建议使用肖特基二极管来缩短开关时间。

    此致、
    Edthan Galloway

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    当然可以。 但我想知道、在25MHz 开关频率下使用 EPC8010/EPC8009等极小 GaN 时、哪个参数更重要 TRR 或 CD。

    例如、在 BAT46WJ、115 和  PMEG10020ELRX 之间选择哪一个

    直流

    TRR、ns

    CD@1V

    变频

    BAT46WJ、115

    100

    5.9.

    21P@1V

    850mV @ 250mA

    PMEG10020ELRX

    100

    3.7.

    70p@1V

    830mV@2A

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    尊敬的盛安:

    这是一个好问题。 我认为 BAT46WJ、115会更好。 它具有较低的电容和类似的反向恢复时间。 请记住、PMEG10020ELRX 的反向恢复时间​是在1安培时测量​的、而 BAT46WJ、115的反向恢复时间是在10 mA 时测量的。

    您还应考虑 BOOT 二极管之间的开关损耗与导通损耗。

    此致、
    Edthan Galloway