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[参考译文] UCC24612：针对耗尽模式 MOSFET 的建议

admin
Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24612
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/925813/ucc24612-recommendation-on-depletion-mode-mosfet

器件型号：UCC24612

您好！

您能否提供有关选择图34 电路中所示耗尽型 MOSFET 的任何指导？   

谢谢、Keith

 

 

 

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Keith、

    我不确定该电路应该如何工作。  您将从 Vgs = 0V 开始、这将为 VDD 充电、但随着 VDD 充电和 Vgs 变得更负、Vgs 将会收缩。

    有一份应用手册解释了如何扩展 SR 驱动器的电压范围。  您可以在以下链接中找到它。

    此致、

    Mike

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    以下是耗尽模式 MOSFET 的计算方法：

    VDS 的额定值需要为 Vout +Vinmax*NS/NP

    使用该电路、VDD 引脚将稳定在大约9.4V (Vreg)。

    当 VG 短接到耗尽模式 FET 的源极时、需要提供电流。

    IDS >2*(IVDDrun + Qg*Fsw)，估计为50% D，

    驱动10nC 栅极电荷的100kHz 设计示例。

    IDS >2*(1.5mA + 10n * 100kHz)= 5mA。

    UCC24612的功耗= IDS*Vreg = 23.5mW。

    由 JFET 耗散的功率。

    PJFET = IDS*(Vout +Vin*NS/NP–Vreg)*(占空比)