[参考译文] BQ35100：20K 闪存编程写入周期限制

您好、Wyatt、

根据 此主题、 数据表中的值(20、000)是正确的、这有点令人困惑：

Q： 1.Flash 编程写入周期在数据表中被定义为20000个、在技术参考手册中被定义为200000个。 哪一个是正确的？

答：  数据表正确。 TRM 值太大。

您能否确认 TRM 的值(200、000)是 TI 官方推荐的闪存编程周期的最大数量？ 我们是否应该将我们的设计基于200、000个周期？

谢谢、

MAKS。

您好、Wyatt、

感谢您的回答。 在我们的设计中、我们希望避免内部 BQ35100数据闪存出现任何问题。

据我了解  、在正常情况下、当 GE 引脚被置为有效时、在累加器模式下的 BQ35100将从数据闪存中读取累积容量值、然后在接收到 gauge 停止命令时、它将更新后的累积容量值写入数据闪存。

我知道这不是推荐的方法、但在 将 GE 引脚拉至低电平之前、是否可以在监测周期结束时读取累积的容量、而无需发送 gauge _stop 命令、从而有效地避免写入数据闪存？ 在这种情况   下、我们的微控制器将在固件中存储累积的库仑计数器、并在最后一个监测周期从 BQ35100读取累积的容量、并在将 GE 引脚拉低之前将其添加到固件中的累积库仑计数器中。 因此、基本而言 、当 GE 引脚被置为有效时、BQ35100内部的累积容量值将始终从0开始、因为数据闪存中的默认值将永远不会被更新。

本例中的事件序列如下所示：

1. 将 GE 引脚置为有效；
2. 将 gauge _start 命令发送到 BQ35100；
3. 执行一些有用的操作、并从电池中消耗一些电量；
4. 从 BQ35100读取累积容量、并将该值添加到固件中的内部库仑计数器值；
5. 将 GE 引脚拉至低电平、而不首先发送 gauge 停止命令；
6. 在空闲状态下等待、直到下一个周期；
7. 从步骤1开始重复。

由于电量监测计芯片将在累加器模式下工作、因此我们不关心将任何 EOS 数据或 累积容量值存储在数据闪存中。 此外、根据我的理解、在此模式下无需校准 BQ35100。

您能否确认 BQ35100是否可用于此场景？ 谢谢。

此致、

MAKS。