大家好、TI 团队、
我正在开发一个 H 桥、以产生最大电流为5µA μ A 的1.5kV 1kHz 正弦波。 H 桥本身是由 IGBT (IHW30N160R5)构建的、1.5kV 电压由直流/直流转换器(GP15)提供。 现在的问题是、是否可以将 UCC21732用作 IGBT 的一个相关驱动器。 我第一次尝试原理图如下所示。
感谢您的及时响应。
这是全桥接通情况的简化版原理图。 现在的问题是、我必须如何限制电阻器 R1、R2以限制 VDD 和 COM 或 COM 和 VEE 之间的电压？ 电阻器 R3..R6对于迟滞、我是否需要它们、即使我不想实施迟滞？ 这是我第一次开发 H 桥、我对数据表有点困惑。
感谢您的及时响应。
这是全桥接通情况的简化版原理图。 现在的问题是、我必须如何限制电阻器 R1、R2以限制 VDD 和 COM 或 COM 和 VEE 之间的电压？ 电阻器 R3..R6对于迟滞、我是否需要它们、即使我不想实施迟滞？ 这是我第一次开发 H 桥、我对数据表有点困惑。
您好！
您能否检查您之前的帖子、您是否在将其从主原理图转换时出错？ 请勿将 VDD/VEE 引脚连接到类似的 IGBT 的漏极/源极。 两个驱动器都不会打开并立即烧断。
1、这在 UCC21732的电源电压范围内可达到1.5kV、这将是一场壮观的烟火表演。
其次、通过电阻器获取电压、即使漏极/源极电压处于限制范围内、也无法保证其稳定性、因为 ICE/IDS 会发生变化。 但这不是主要原因。 主要原因是它不起作用、或者更有可能破坏您的两个驱动程序。
对于 IC2、切勿像这样将 COM 连接到漏极、应将 COM 连接到 IGBT 的源极。您的 IC2 VDD 保持悬空
您需要 通过浮动的隔离式电源为栅极驱动器电源引脚生成稳定的高侧和低侧、该隔离式电源以 COM 为基准。
一种方法是使用隔离型反激式转换器、
请参阅 采用 UCC21732且采用反激式转换器的参考设计：
另一种选择是使用 SN6505b 等推挽式转换 器、这种转换器更具成本效益(可以使用更小的 xformer)、我们还有许多使用推挽式转换器生成偏置电源的参考设计、例如 UCC21732 EVM。
上部 SN6505b 源自 VDD、而下部生成 VEE、VEE 位于 COM 下方、可在关闭时提供负驱动偏置。
在本例中、对于半桥、您可以使用4个推挽式转换器、2个用于低侧驱动器、2个用于高侧驱动器。
我已经连接了原理图的屏幕电容器。 这些设计文件现在也可供您使用。
您能否修改原理图、使驱动器电源不直接连接到 IGBT 端子？ 我很乐意帮助您解决有关实施的问题。 如果您对此主题还有其他疑问、请告诉我。 如果我已经回答了您的所有问题、请按绿色按钮告知我。
最棒的
Dimitri
