[参考译文] CSD18532NQ5B：不同 Vgs 的 ID 参考

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器件型号：CSD18532NQ5B
主题中讨论的其他器件： CSD18532Q5B

大家好、

在这里了解您很高兴。我的客户想要知道 ID 值、当 Vgs 在不同 TA 期间为3.8V 至4V 时、我无法从下面的曲线中找到该值。例如、当 VDS=24V、Vgs=3.8V 和 TA=-40C 时、如何获得 ID？

BR、

查尔斯·林

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2381740 points

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您好、Charles、

感谢您向客户推广 TI FET。数据表中的传输特性曲线适用于单个典型器件。在产品开发期间、在-55C、25C 和125C 的3个温度下收集数据。遗憾的是、我们没有40°C 的数据。随附的产品开发过程中收集的原始数据和日志刻度上显示的曲线。您能告诉我什么是应用程序以及为什么需要数据吗？如果您不想在公共 e2e 论坛上分享有关该应用的详细信息、可以通过我的 TI.com 电子邮件联系我。

e2e.ti.com/.../CSD18532NQ5B-Transfer-Data.pdf

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2381740 points

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尊敬的 John：

感谢您在这里的帮助。我的客户使用该器件将拓扑提升至9-15VDC 至22V/5A。他们有两个问题、

1.如果 TA=-40C、VGS=4V、则当峰值电流为16A 且平均电流为4A 时、MOS 可能无法完全导通(请参阅下面的波形)、在这种情况下 MOS 是否会断裂？

2.如果 MOS 不能完全导通、客户希望用体二极管传导电上面的电流、如果 TA=70C、是否有风险？

希望在这里获得您的专业建议。谢谢。

BR、

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2381740 points

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您好、Charles、

感谢后续行动。首先、当 CSD18532NQ5B 的 VGS < 6V 时、TI 无法保证 RDS (ON)。我们只能保证数据表中指定的电气特性：在 VGS = 6V 和 VGS = 10V 时。这是在生产过程中测试 FET 的位置。

其次、他们为什么选择 CSD18532NQ5B 而不是 CSD18532Q5B？该 FET 具有较低的阈值电压、并且 RDS (ON)额定电压低至 VGS = 4.5V。尽管我们仍然无法保证 VGS = 4V 时的 RDS (ON)、但这在其应用中可能会更好。

最后、在理论上、体二极管导通时具有与 MOSFET 通道相同的载流能力。但是、它受功率耗散的限制：Vf x ID 通常大于 ID x ID x RDS (on)。客户在进行功率损耗计算时需要考虑这一点。

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