你(们)好。
我对 CSD95373AQ5M 的 DEM 有一个快速/基本的问题。
您能解释一下死区时间运行与 DEM 运行之间的区别吗? 我让他们感到困惑。 简而言之、两者都只是根据我的理解关闭 HS FET 和 LS FET。 SW 节点上的 Vout (来自下图)是由于 LS FET 锁存造成的、因此短路。 我在这里是对的吗? LS FET 的体二极管在死区时间内对 SW 节点有何影响、但在 DEM 期间没有影响?
请帮我理解。 感谢你能抽出时间!
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你(们)好。
我对 CSD95373AQ5M 的 DEM 有一个快速/基本的问题。
您能解释一下死区时间运行与 DEM 运行之间的区别吗? 我让他们感到困惑。 简而言之、两者都只是根据我的理解关闭 HS FET 和 LS FET。 SW 节点上的 Vout (来自下图)是由于 LS FET 锁存造成的、因此短路。 我在这里是对的吗? LS FET 的体二极管在死区时间内对 SW 节点有何影响、但在 DEM 期间没有影响?
请帮我理解。 感谢你能抽出时间!
您好:Minkyung、
死区时间是指我们关闭两个 HS/LS FET 以防止击穿故障 ( 如果同时 打开 HS/LS FET、则短路)。 死区时间是开关瞬态期间的一个时间周期。
而二极管仿真模式是功率级的一项功能 、我们在断续导通模式(DCM)下运行功率级。 当 PWM 信号为低电平时、当 电感器电流仍为正时、LS FET 导通。 电感器电流下降并流经 LS FET、直到 IL 达到零。 功率级可检测过零并平稳关闭 LS FET (LS FET 还仿真二极管特性)。 因此、在 DEM 模式下、电感器电流不会变为负值以减少传导损耗。 您可以从所连接的波形中看到它。 DEM 有助于提高效率、尤其是在轻负载条件下。
最棒的
清泉