[参考译文] UCC24612：加热问题

您好！

您能告诉我 VDD 电压的设置是多少？  您有一个串联导通稳压器、Q4应将输入电压调节为15V、基极至发射极电压应更低。 如果运行的电压高于预期、则可能导致 UCC24612栅极驱动器发热。

根据您提供的热性能信息、我估计如果 PCB 团队温度为25 C (T1)、UCC24612的功耗将为0.6W。  

这似乎是很大的功率、也许您的 FET 的栅极电荷太大了。  您可以选择具有较低 Qg 的其他 FET。

 器件的热阻抗为第6.4节。  

RJC = 97.6W/Deg C。热阻抗结至外壳

RJB 44.2、带 Deg C、热阻抗结至电路板。

因此 、如果 UCC24612的外壳温度 为110 C (T1)、 并且 PCB 的磁组温度为25 C (T2)。

T1 = PD*(RjC+Rj1)+ T2

(T1-T2)/(RjC+RJB)= PD =((110-25) C)*W/(141.8C)= 0.6W、

您可以 根据栅极电荷(Qg)和转换器开关频率(Fsw)计算功率耗散(PVDD)。

驱动 FET Ids1 = Qg*Fsw 的 VDD 电流

FET 放电电电流为 Ids2=Qg*fsw  

PVDD = VDD*(IVDDrun + Ids1)+ Vreg* Ids2。  

>IVDDrun = 0.92mA、Vreg = 9V、这应该是峰值栅极驱动器电压。

扼要重述一下、VDD 可能会运行到高电平、导致 UCC24612散热过大或 FET 的栅极电荷过大、从而导致 UCC24612过热。

1. 降低 VDD 将有助于减少发热。
2. 选择 具有较低 Qg 的 FET 将有助于减少发热。

此致、

您好！

我在其中一个驱动器上测量了 VDD 电压、得到了14.7伏、这看起来是正确的。 电压是稳定的、没有过冲或任何东西。 我在更改 VDD 电源电路之前还尝试过、以便 NPN 晶体管基极的齐纳二极管为11V、而不是15V。结果就好像没有任何变化一样-在相同的负载驱动器下、会加热至某种程度上相同的温度。

2.为了进行实验、我放置 了 IPP60R170CFD7而不是原始 MOSFET。 虽然它们的 RDS 要大得多、但它们的 Qg 要低得多。 在这些情况下、驱动器在300W 负载下加热至70摄氏度需要1分钟、之后我不得不关闭 PSU、因为 MOSFET 也在加热。 它是具有初始 MOSFET 的驱动器的常见加热率。

因此、这些方法都不能帮助我。 是否有任何非正统的东西、我可能会尝试改变这些东西？ 我感觉我缺少了一些非常简单的东西、例如 PCB 跟踪误差、尽管我已经检查过几次。 尽管问题仍然存在、但驱动器引脚未短接在一起、从外部看一切似乎都正常。

感谢你的建议。

此致、Aleksey。

您好！

是的、问题出在 FET。 显然、热成像摄像机没有显示 TO-220金属外壳的正确温度、而不是在正确的角度下。 因此、在摄像头上、我看到了冷 FET、而它们脚下的区域(驾驶员所在的位置)则快速升温。 正是 FET 加热了电路板、而我将这归咎于驱动器。

非常感谢您的帮助。

此致、
Aleksey。