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[参考译文] CSD18510Q5B：关于 MOSFET 漏极的输出波形

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17307Q5A, TINA-TI
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/922272/csd18510q5b-about-the-ouput-waveform-of-mosfet-drain

器件型号：CSD18510Q5B
主题中讨论的其他器件：CSD17307Q5A、 TINA-TI

您好，

  请查看以下脉冲驱动器原理图，我使用 R1：来仿真 LD

MOSFET 导通时的漏极波形：

我 将 R1更改为10mΩ，Ω、则波形为：Ω

比较上述两个波形，当漏极电流为高电平时、SENCOND 下降沿为何比第一个下降沿更慢？

在高电流？下工作时如何改进它

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Suy、

    感谢您的查询。 我将尝试自己运行仿真、以确定您看到这种行为的原因。 我假设这也与您在 CSD17307Q5A 上的其他帖子有关。 一旦我有更多信息要与您分享、我将立即向您发送跟进回复。

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Suy、

    我在 TINA-TI 中复制了您的仿真、我认为它是正确的。 但是、由于您要在5V VS1上应用 FET 的 R1 + RDS (on)、因此仿真不现实。 R1 = 200m Ω 时、漏极电流限制为 FET 可支持的约25A (5V/201m Ω)。 当您将 R1减小到10m Ω 时、漏极电流约为5V/11m Ω= 454A。 仿真允许这样做、但 FET 和5V 电源实际上无法支持这么大的电流。 时序由漏极电流的上升时间驱动、对于 R1 = 10m Ω、上升时间大约为3us；对于 R1 = 200m Ω、上升时间大约为10ns。 根据您之前的帖子、我相信您正在使用该电路驱动激光二极管。 您可能需要将二极管添加到仿真中、以获得更真实的结果。 此外、请记住、仿真可以根据 R1的值为您提供不切实际的高电流、因为5V 电源、VS1是理想的、不受电流限制。 我将查看您之前的帖子、并运行一些仿真。

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    尊敬的 John：

      感谢您的建议。

      我尝试使用 LD 进行仿真、但我目前没有使用，的 LD 模拟模型、因此我必须使用 R1模拟 LD。

      当前使用的 LD 阻抗约为10~20m Ω、在高功率模式下工作，瞬时电流高于200A。

      

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Suy、

    我将结束此主题、因为我们将通过常规电子邮件继续进行此讨论。