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器件型号：TPS7B86-Q1 大家好、
我想为以下条件选择 LDO
VIN = 13.5V
Vo = 3.3V
IO=0.5A
PD=(13.5-3.3)*0.5=5.1W
daJA=29.7C/W
上升温度为5.1*29.7=150C
这是否意味着我们无法使用此器件来达到我的条件？
罗伊
大家好、
我想为以下条件选择 LDO
VIN = 13.5V
Vo = 3.3V
IO=0.5A
PD=(13.5-3.3)*0.5=5.1W
daJA=29.7C/W
上升温度为5.1*29.7=150C
这是否意味着我们无法使用此器件来达到我的条件？
罗伊
您好、Roy、
在该功率耗散下、器件的环境温度需要为零度、并防止其进入热关断状态。 您有2个选项：将热耗散分散到另一个组件、或使用散热器。
选项1a：将功耗分散到另一个组件(电阻器)
一种常见的选择是在 LDO 前面添加一个下降电阻器、以在最大负载下降低功率耗散。 这会将功率耗散从 LDO 移到下降电阻器。 可将下降电阻器放置在更远的位置(例如靠近机箱安装件)。 假设我们需要下降电阻器的功耗为2/3、LDO 的功耗为1/3。 然后、0.66 *(13.5 - 3.3)* 0.5 = 3.366W 将在下降电阻器上耗散、其值为13.5欧姆。 LDO 的输入为(13.5V -(13.5欧姆)*(0.5A))= 6.75V。 因此、LDO 两端的压降现在仅为(3.45V)(0.5A)= 1.725W、从热角度来看、这更易于管理。
选项1b：将功耗分散到另一个组件(LDO)
另一种选择是使用 TPS7B86-Q1两次、以便在2个 LDO 上散热。 均匀地分散耗散将在两个器件上实现75C 的温升。 这具有许多额外的优势、例如第二个 LDO 输出端的 PSRR 显著改善。 PSRR 具有累积效应、因此如果一个 LDO 上的 PSRR 为70dB、则两个串联 LDO 的抑制为140dB。
选项2：散热器
如果您可以访问额外的空间、您可能需要研究使用散热器。 您可能还需要强制空气冷却。 使用散热器时、热阻不会为29.7 C/W、它将是以下项的总和：(结至外壳底部)+(散热器化合物)+(散热器)。 您所查看的封装具有非常低的结至外壳热阻。 以55°C 环境温度和125°C 最高温度为例。 那么热阻需要为(125C - 55C)/5.1W = 13.725 C/W 减去 KVU 结至外壳的热阻、热化合物和散热器的热阻可得到12.225 C/W。 同样、在这些级别、您可能需要强制通风来保持一切低温。 查看散热器数据表。
谢谢、
斯蒂芬
