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[参考译文] CSD88539ND:Theta-J 外壳规格

Guru**** 2381970 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/921653/csd88539nd-theta-j-case-specification

器件型号:CSD88539ND

数据表中提到了多个位置的外壳温度、但我找不到 Theta-J 外壳规格。 是否提供此功能?

谢谢、

Stuart

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Stuart:

    感谢您的查询。 TI 未为此采用 SO8封装的双 FET 指定 RthetaJC。 我们在数据表中提供的唯一规格是 RthetaJA 和 RthetaJL (结至引线)。 从 SO8中去除热量的主要路径是通过引线框-引脚- PCB。 我们通常不会在封装顶部对 RthetaJC 进行规格说明。 我最接近的同类产品是5x6引线键合 SON 封装。 根据芯片尺寸、我估计 RthetaJC 到封装顶部的温度约为30至35摄氏度/瓦

    您可能会发现下面的博客很有用。 我将关闭该线程。 如果您有其他问题、请通过定期电子邮件联系我。

    e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance

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    John、

    感谢您的回答。 我通过查看其中一个 FET 的漏极引线温度(与外壳温度相比)来执行一些比较测试。 我可以确认、您对30至35摄氏度/瓦的猜测与我观察到的结果一致。

    谢谢、

    Stuart