This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25703A:BQ25703A BATFET 的热输出随着系统负载电流的增加而增加。

Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/919821/bq25703a-the-heat-output-of-the-bq25703a-batfet-increases-as-the-system-load-current-increases

器件型号:BQ25703A

尊敬的 TI:

我使用 TI 的 BQ25703A 芯片为锂铁电池(12V/5Ah)充电。

当主电源关闭时、锂铁电池(12V/5Ah)通过 BATFET (P-MOSFET)放电。

随着系统负载电流增加到9A,然后系统负载电流增加,BATFET P-MOSFET 将缓慢加热。

我的设计要求是、当锂铁电池的最大放电电流为12.5A 时、确保 BATFET 的温度处于可接受的范围内。


我是否可以问导致 BATFET 发热的原因?

此致

谢谢

姜惠根

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    主要损耗是导通损耗、建议同时监控 BATDRV 电压。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    周 虎,您好

    BATFET 的 PMOS 模型更改为 SiRA99DP、

    VGS =-10V 时、RDS (on) max = 0.0017Ω Ω、VGS =-4.5V 时、RDS (on) max = 0.00265Ω Ω、

    RDS (ON)的损耗应在可接受的范围内、以便无法判断体二极管的损耗。


    在低负载条件下、BATDRV#=2.672V、VSYs=13.19V、Vgs=-10.518V、

    随着负载电流的增加、BATDRV#电压会下降、Vgs >-10V。


    您能更详细地描述传递给损耗的电压并监控 BATDRV 吗?

    此致

    谢谢

    姜惠根

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    BATDRV 电压看起来正常。 只需确保 BATFET 压降在范围内即可。 功率损耗等于压降和传导电流的乘积。