尊敬的 TI:
我使用 TI 的 BQ25703A 芯片为锂铁电池(12V/5Ah)充电。
当主电源关闭时、锂铁电池(12V/5Ah)通过 BATFET (P-MOSFET)放电。
随着系统负载电流增加到9A,然后系统负载电流增加,BATFET P-MOSFET 将缓慢加热。
我的设计要求是、当锂铁电池的最大放电电流为12.5A 时、确保 BATFET 的温度处于可接受的范围内。
我是否可以问导致 BATFET 发热的原因?
此致
谢谢
姜惠根
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尊敬的 TI:
我使用 TI 的 BQ25703A 芯片为锂铁电池(12V/5Ah)充电。
当主电源关闭时、锂铁电池(12V/5Ah)通过 BATFET (P-MOSFET)放电。
随着系统负载电流增加到9A,然后系统负载电流增加,BATFET P-MOSFET 将缓慢加热。
我的设计要求是、当锂铁电池的最大放电电流为12.5A 时、确保 BATFET 的温度处于可接受的范围内。
我是否可以问导致 BATFET 发热的原因?
此致
谢谢
姜惠根
周 虎,您好
BATFET 的 PMOS 模型更改为 SiRA99DP、
VGS =-10V 时、RDS (on) max = 0.0017Ω Ω、VGS =-4.5V 时、RDS (on) max = 0.00265Ω Ω、
RDS (ON)的损耗应在可接受的范围内、以便无法判断体二极管的损耗。
在低负载条件下、BATDRV#=2.672V、VSYs=13.19V、Vgs=-10.518V、
随着负载电流的增加、BATDRV#电压会下降、Vgs >-10V。
您能更详细地描述传递给损耗的电压并监控 BATDRV 吗?
此致
谢谢
姜惠根