[参考译文] UCC28782EVM-030：UCC28782 XMFR 功率损耗

你(们)好
我已将此主题分配给产品专家。 他应能够在2个工作日内回复。

此致

曼尼甘塔 P

您好 Robin、  

直流偏置可能会对磁芯损耗产生一些理论影响(例如、所有反激式拓扑都是如此)、但我认为这种影响不 会导致 非常 显著的温升。  

我怀疑变压器内部可能会因1mm 间隙的边缘磁场而受到铜损耗的加热。  该间隙1~2mm 范围内的任何绕组都受来自边缘磁场的涡流影响 、从而偏离间隙。  绕线管脚附近的导线温度可能不会反映绕线管中间的发热情况。   

请说明磁芯尺寸和材料是多少？  也许不同的尺寸、形状和 AL 值有助于减小应用所需的宽度和间隙。  

此致、
Ulrich   

尊敬的 Robin：  

正如我对您的并行帖子的回复中提到的、我将您的文本复制到这里、并关闭了该主题。  

"您好

我们制作了 xmfr 40：8：8

它应该已经将 Bac 降低了60%、因此希望能降低直流偏置值。

但它没有采取任何措施来降低内核温度。 我们运行了100W ...当内核温度上升到130摄氏度时停止

温升不是由 B 引起的、似乎也不是由 HDC 引起的。

在本例中为。 我们实验室中的快速周转 xmfr 得到了1.6倍的 DCR！

这可能解释了为什么温度保持不变(如果不是更高)。

我们是否应该使用与25：5：5案例中相同的 DCR？

只有我们才能判断接近或涡流损耗是否是主要的因素。 后一种情况意味着磁芯材料不是电源...但我认为它是 EPCOS N87 ...

任何评论都将受到高度赞赏。

R"  

我的部分回答是"正如您的电阻测量结果所示、我认为加热是由间隙产生的宽边缘磁场所导致的涡流损耗引起的。 "

另外、请告诉我您使用哪种线来绕组。  在176kHz 时、初级绕组和次级绕组都应使用利茨导线、其基线至少为38awg、甚至可能为40AWG 或42AWG。  (我必须检查我的电线目录以确定 FREQ 与 LIZ 尺寸。)

此致、
Ulrich

Ulrich 您好：

很抱歉耽误你的时间:有一些医疗问题… 但我们会跟进您的见解...首先、让我们了解 此处提供的 xmfr 详细信息：

匝数比：1：0.2：0.2 (25T：5：5T)

-内核集：EQ30

材料：N87 EPCOS

-观察到的估计开关频率：176kHz。 这使铜线的趋肤深度约为0.150 mm。

情况 A：5A、20V 输出、输入 - Vrectified；大约225V

_PRI 导线： 25 T、2股33AWG x 2层(如 Keough & Wang 在 ADJ 4Q 2020的论文中所建议。

 33 AWG 直径=.18mm

因此总共4股。 DRC 约 为0.45 Ω

-Sec：4股 AWG 32 x2层。 DCR = 0.06欧姆

间隙：在 1个磁芯的每一个桥臂上半个：12mil。 因此 、间隙是"分布"的、不是 xmfr 中心柱28.8密耳的大捆扎空间！ LG 的计算值为0.75mm 或30mil。

在 本例中、温度-(在卷轴内部)达到 135摄氏度 、然后缓慢上升。 花了1小时

情况 B：3.5A、20V 输出、Vrectified；大约225V

在 本例中、温度-(在卷轴内部)达到 110摄氏度 、然后缓慢上升。 花了1小时

案例 C： CORE ETD 34/17/11、Ae=97mm^2.

匝数比：1：0.2：0.2 (25T：5：5T)

材料：PC40 TDK

5A、20V 输出、Vrectified；大约225V

_PRI 导线： 25 T、1股24AWG x 2层(如 Keough & Wang 在 ADJ 4Q 2020的论文中所建议。 24 AWG 直径= 0.5毫米

因此总共有2股。 DRC 约 为0.09 Ω

-Sec：4股 AWG 24 x2层。

因此8股24 AWG、DCR = 0.002欧姆

间隙：在 1个磁芯的每一个桥臂上半个：12mil。 因此、间隙是"分布"的、不是 xmfr 中心柱28.8密耳的大捆扎空间！

绕组非常接近 STAN ZUREK 的论文《  降低接近效应损耗的定性 FEM 分析》

他发现最小化层是关键-最佳选择是1P-1S-1P、每个 PRI 都完全缠绕在长线型上 、因此核心 ETD34/17

在 本例中、温度-(在卷轴内部)达到 110摄氏度 、然后缓慢上升。 花了1小时

如果我们在 CC 负载为3.5安培的情况下运行该内核、则温度将保持在90°C 左右

我们没有发现温升大幅降低。

实际上、在我们的案例中、直流偏置也不明显。  

这需要"鉴定"、因为线圈上单独的直流偏置有什么作用？ 不存在导致感应的 dB/dt。 他们应该通过说直流偏置将 dBac 向上移动来限定它-从而使 Bmax 高于法拉第定律计算出的仅 dB。  

因此、40T-8T-8-t 的 xmfr 会有所不同。 但它没有、其他参数几乎保持不变。

但必须有一种方法将磁芯温度保持在70度左右(高于环境温度30度的上升)。

我怀疑 dB/dt 可能起作用；因为我们在初级开关中使用 GaN。 NV6117兼有。

或者随附 的 Boyorovic 集团的论文是否已经过时？ 我们的搭接方式几乎是他们建议的-平行于线圈和正交。  但是，即使是这样，我也怀疑会导致任何显著的温度降低。

如果此“USB D”PD 或充电器是便携式的，则我们无法在135-140摄氏度的条件下进行熔炉类型的活动！

急切地等待您的评论。

e2e.ti.com/.../AC_5F00_LOSS_5F00_REDUCTION_5F00_BOROYVIC.pdf

您好 Robin、  

很遗憾听到这些会干扰您的系统开发的附带问题。  
我们随时准备在您恢复工作后提供进一步的帮助。

同时、我将关闭此线程。  您可以稍后重新打开它、或在准备好后启动新的。

此致、
Ulrich  

Ulrich 您好：

下面是我们找到的内容。 ATL432出现故障：我们在执行一系列故障排除步骤后找到它。

在断电期间、除了来自负载箱的瞬态之外、并联稳压器还有什么可能发生故障？

ATL432  深埋、周围环绕着高值电阻器、除了电源返回线(&+20V 输出)。

目前、我们正在放弃这一包装箱、并从我们成功使用其数字范围的公司订购了另一个包装箱。

同时：Smile！..in 一个 xmfr、这是一个试验运行、5层中有5个并联线束- 5个次要线束之间的电流差高达47%。

不可接受。

因此、在我们继续达到5安培之前、必须对其进行更改。

供参考

我们将报告更多信息...

您好 Robin、  

感谢您的调试更新。   
我祝您在变压器重新设计方面一切顺利、并期待收到更多好消息。  

此致、
Ulrich

Ulrich 您好：

我们花了很长的路才能得到正确的 xmfr.load...测试一些关键的东西等等

但是，在68W 时，内部温度确实达到了64摄氏度，这确实是一个非常好的情况。

这个 xmfr 绕组是 DIY litz。 因此、我们认为我们将实现 "更好"的完成效果等

结果它的电流为6uH lkg。 70pF Cww、LRI~95uH

我想尝试一下。

Lo & Wo、它很难工作、有一些典型的音频散射...我们停下来、想到了 VAC 冲击。

但它根本不起作用。

 耗尽模式 TVS 二极管。 死了——把它拿在控制器上……在它开始努力的时候一定会发生 。

现在、我需要在这里停止。 问题是：为什么选择电视？ 然后是控制器-由于泄漏？

有什么背景？

一如既往地欣赏您的启发性评论。

-r

Ulrich 您好：

我错过了另一个重大故障：我们现在有一 个 BSC110N150 D2PAK SR、因为现在由于在 Maula 装配中遇到困难、我们不使用 EPC2034。

 泄漏电流为6.4uH 时失败的 Xmfr。

我注意到、任何在某些异常运行模式下具有转速恢复功能的 MOSFET 都会失败。  

我怀疑这是由于 SR 漏极处的负向转换期间耗散过大。

我认为在这里添加这份失败报告是很重要的。

R