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[参考译文] BQ76952EVM:好的

Guru**** 1976305 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76952, CSD19536KCS
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/920607/bq76952evm-ok

器件型号:BQ76952EVM
主题中讨论的其他器件:BQ76952CSD19536KCS

你(们)好

我正在使用 BQ76952处理 BMS 60V100A。 请建议如何实现100A 连续电流额定值。 并联所需的 MOSFET 数量以及如何驱动它们。

所有功率 MOSFET 都将放置在电池模块的-ve 线路中。

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    您好、Sandeep、

    问题更多是热设计、而不是 FET。  许多 FET 将处理高电流。

    考虑 CSD19536KCS、它具有150A 的最大电流。  10V VGS 时的 Rdson 为2.7m Ω。  但在100A 电流下、您将需要耗散27W 功率。 这在器件的能力范围内、但您必须能够将热量从电池中散发出去。  如果您有大型金属机箱和冷却空气、则比使用小型塑料电池外壳更容易消散。 通常、您将并联多个 FET 以降低有效电阻、从而减少电池中的热量并将其分散在多个器件上。

    当您并联 FET 时、您可能需要一个小型单独的栅极电阻器或铁氧体磁珠来相互隔离栅极、以避免开关期间出现振荡。  请查看行业 FET 基准。 您将需要一个公共电阻来设置开关速度。  如果在100A 或短路情况下发生保护事件、则需要快速关闭以避免 FET 过热、但不能太快、从而激发电芯电感并产生破坏性的电感瞬态。  您可以使用模拟器对效果建模、也可以通过实验进行测试。  当您使用更大或更多的 FET 增加栅极电容时、您将需要更小的电阻。

    由于您指示需要-ve 开关、并且 BQ76952的内置栅极驱动器为高侧、因此您将需要一个外部栅极驱动器。  您还需要大约12V 的电源来运行栅极驱动器。  DDSG 和 DCHG 输出可用于控制栅极驱动  器、有关栅极驱动器的信息、请参阅 http://www.ti.com/gatedrivers。  对于电机控制或开关电源等应用、单个栅极驱动器的额定电流通常为安培、对于负载开关、您将需要一个栅极电阻器来降低 FET 开关速度。

    标准栅极驱动器的电荷栅极驱动器输出通常不希望被拉至高于其电源电压、例如放电 FET 关闭时。  隔离式驱动器是解决此问题的高性能方法、但需要隔离式电源。  使用简单的驱动器时、您需要使用二极管阻止电流返回到驱动器中。  在电流被阻断的情况下、RGS 将关闭 FET、您可能需要使用晶体管电路来提高关断速度。  尽管它由不同的 BMS 器件控制、但    有关并联低侧 FET 的示例、请参阅应用手册 www.ti.com/.../slua773。 在图6中、R13将被省略、D1将阻断流入充电驱动器的电流。  Q9将有助于关断充电 FET、它显示为低 VGS P 沟道 FET、但您可以使用 PNP 或 JFET。  

    对于低侧 FET、请考虑如何连接器件的其他功能。  如果您想使用负载检测、请配置一个电路、以便在 PACK-足够高时下拉 LD。  对于唤醒、请考虑下拉 TS2引脚或 上拉 LD。

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    你(们)好

    感谢解释、非常有用。 如果可能、请分享一些并联使用多个 FET 时的热负载计算结果。 在这里、我将使用并联的 FET、而无需在50°C 环境 IP67外壳中进行热哈希。 外壳采用金属结构、但 FET 不会安装在外壳上。

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    您好、Sandeep、

    热负载和流量分析超出了我们在此提供的支持范围。  您可能会找到一些主要 FET 供应商的文章或论文、或查看有关热力学的行业参考文本或来自热建模软件公司的信息或您可能在设计工具中获得的功能。  

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