[参考译文] BQ76920EVM：无法在实际系统上找到要上传的黄金映像/方式

您好！

是的、我应该已经说过我已经尝试了 EVM 用户指南。  首先、我自己尝试了 AFE、我能够更改 CHG_ON 和 DSG_ON 位、并且可以使用 DVM 来监测我的负载电阻器、以查看其上的电压。  我读取的值是正确的。  然后、我设置系统以检查仪表、并能够达到步骤17。

对于第18步、发送 FET_EN 似乎没有什么不同。  最初、Fen_EN 位为高电平、DSG 和 CHG 位为低电平。  发送命令 FET_EN 仍会将 FET_EN 位保持为高电平、并将 DSG 和 CHG 保持为低电平。  我假设这是我的系统应该处于的状态、因此我转到步骤19。

对于步骤19、我写入温度值、但我得到的是红色叉号、而不是复选标记。  当我输入一个外部平均电芯电压值时、也会发生同样的情况。  这是我停下来并决定尝试其他东西的地方。

我向下滚动到第5部分、并决定在某些情况下更新固件。  导入文件并按 Program、会显示错误消息"The device must be in ROM mode"(设备必须处于 ROM 模式)。  因此、我尝试搜索一种方法来实际更新我的固件、即使 EVM 用户指南没有说明任何有关 ROM 模式的信息。  我在论坛上发现了另一个问题、该问题指出、为了进入 ROM 模式、我必须发送命令00、但是软件通知我这不是一个有效的字。

因此、我想了解为何无法使用器件控制。  我找到了应用报告 SLUA742并在第2节中尝试了该示例。  我能够将00 40写入寄存器0x44、然后从0x44读回以下内容：

00 40 84 07 02 75 96 19
A5 40 01 00 FF 00
00 00 00 00 00 00 00 00 00 00
00 00 00 00 00 40 00 00
00

根据所提供的内容、这看起来是正确的、这让我想知道为什么我不能进入 ROM 模式。  然后、我发布该帖子、以了解这是否是最终系统的正确方法。

感谢你能抽出时间、

Chris

尊敬的 Chris：

在"Command"窗口中单击 FET_EN 按钮后、您是否单击了 Refresh 按钮？ 您能否检查寄存器中是否报告了可能会阻止 FET 导通的任何保护故障？

如果您尝试更新固件、您可能希望尝试关闭仪表板(单击 BQStudio 左上角的绿色横幅)。

谢谢、

Matt

Matt、您好！

我重新启动了整个设置。  FET_EN 位最初为低电平。  按下 FET_EN 后、我刷新列表。  位 FET_EN 在变为高电平之前瞬间变为白色背景。  但是、电池状态(DSG)的第6位在整个过程中保持高电平、运行状态 A (DSG)的第2位在整个过程中保持低电平、监测状态(DSG)的第6位在整个过程中保持高电平、而运行状态 A (CHG)的第1位在整个过程中保持低电平。  它们似乎都没有受到影响。

我检查了整篇错误中的晶圆和 AFE 位保持低电平、并且在 bqStudio 内的错误窗口中没有错误。  我应该检查的任何其他寄存器？

我还尝试通过关闭仪表板来更新固件、但仍然遇到相同的 ROM 错误、并且仍然无法进入 ROM 模式。  但是、我的 bq78350_R1版本为1e9b_1_03、这也是用户手册中显示的版本。

我认为黄金映像包含数据存储器配置、化合物视图和校准。  假设我能够使用 bqStudio GUI 准备数据存储器配置和化学视图、我仍然会遇到"Calibration"选项卡中的问题、

谢谢、

Chris

尊敬的 Chris：

您拥有的固件版本应该可以。 这是 BQ78350-R1器件附带的版本。 有一个较新的版本、但它只有一个更改、即改进的关断例程。 这不会影响您现在看到的任何内容、因为在其他情况下、它的功能是相同的。 BQ78350-R1A 器件上加载了版本1.04固件。

刷新后(在 FET_EN 之后)、您能否发送 BQStudio 寄存器的屏幕截图？ 您应该会在 OperationStatus 中看到 xchg 和 XDSG 位变为红色(关闭)、CHG 和 DSG 位变为绿色(打开)。 这些位在 BatteryStatus 和 GaugingStatus 寄存器中具有不同的含义、因为它们也取决于电流。

此外、对于校准问题、请确保已针对温度测量和外部平均电池电压正确配置器件。 默认情况下、仅启用 TS1。 对于外部平均值、您需要确保已配置 AFE 电池映射、并且您正在输入平均电池电压值。 更多图像将帮助我们调试这一点。

此致、

Matt

下午好！

立即开始使用图像刷新。 在我按下 FET_ON 命令之前、这是我的 bqStudio：

如您所见、xchg 和 XDSG 已经处于高电平、而 CHG 和 DSG 处于低电平。 FET_EN 和 SEC1位也为高电平。 然后、我按 FET_ON 命令并获取此视图：

XCHG、XDSG、CHG 和 DSG 保持其先前的状态。 唯一改变的位是 FET_EN 变为低电平、而 SEC0位再次变为低电平。 我还在监视 PACK+/-引脚的电压输出、对于 BATT+/-(来自电源)上的14.96V 电压、我在 DVM 上得到的读数为11.54V。 当我在上面放置一个7.5欧姆电阻器时、电阻器上的电压为0V、电源的电流消耗不会增加(保持在~0.019A)

我还重试了校准程序、下面是我得到的结果：

唯一为我提供复选标记的是 CC 偏移。 我还尝试了使用7.5Ohm 电阻器进行电流校准、但由于没有电流流流过该电阻器、校准也失败。 然后、我决定只使用 bq76940评估软件来检查 AFE。  我尝试了四种不同的 DSG/CHG 低/高组合、同时在 BATT+/-和监控 PACK+/-上使用 DVM 设置14.96V、并得到了以下结果：

这证实了 DSG 和 CHG 在任一方向保持低电平。  请告诉我您的想法、我希望我做了些错误的事情！

谢谢、

Chris

尊敬的 Chris：

感谢您发送图片-这有助于揭示您所看到问题的一些可能原因。 我注意到了几件事情。 PF_EN 位和 FET_EN 位在加电时为高电平、这意味着这些位在 Mfg 状态 Init 数据闪存寄存器中设置。 如果在该数据闪存寄存器中设置了 FET_EN 位、则默认情况下将启用 FET。 因此、您无需执行 FET_EN 命令(此时单击此按钮应关闭 FET)。

除了设置 PF_EN 位之外、我还注意到 PF 位以及 SOV 和 SUV 位都已设置。 这意味着已触发永久故障- AFE 过压和 AFE 欠压。 永久性故障将禁用两个 FET。 您可以通过单击命令窗口中的 PF_CLEAR 按钮来清除永久。 如果仍然观察到故障、则可能意味着 AFE 单元映射数据闪存寄存器设置不正确。 触发这些 PFS 的某个点可能没有正确的电压？ 最好禁用永久故障、直到其他所有内容都已设置并正常工作。

为了进行校准、我假设您使用的是 BQ76920 EVM？ 一旦永久故障被禁用、请告诉我是否有任何变化。

此致、

Matt

Matt、您好！

好消息、发送 PF_CLEAR 命令有效、我可以看到 FET 位发生了变化。  我还能够在系统上运行完全校准。感谢您的帮助！  我假设我在设置适当的 OV、UV 等参数后不会遇到这些问题。

我是否正确地理解了、如果我使用 SMBus 连接器将我们的定制 PCB 连接到 EV2400、上传数据存储器配置、化合物视图并通过 bqStudio 运行校准、那么我将会在 BMS 上设置"黄金映像"？  我想知道这是否是正确的生产方法。  

谢谢、

Chris