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[参考译文] BQ40Z60:无法将数据存储器写入 BQ40z60 (使用 Bqstudio)

Guru**** 633810 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z60, BQSTUDIO
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1165879/bq40z60-failed-to-write-data-memory-to-bq40z60-using-bqstudio

器件型号:BQ40Z60
主题中讨论的其他器件: BQSTUDIO

您好!

我在将数据存储器写入 BQ40z60 EVM 板时遇到问题。 下面是 Bqstudio (版本1.3.101)发出的错误消息:

"未写入参数、类名校准、子类名电压、写入数据存储器的参数名包增益无法回读验证。"

有什么想法吗? 谢谢。

此致、

Tom

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    您好、Tom、

    检查您的电压是否高于闪存更新电压正常阈值

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    您好、Shirish、

    我是否可以知道闪存阈值电平是多少? 我可以设置 BQstudio 的哪个部分?  

    我已将电池(7V)和充电器(12V)连接到 EVM 板、但仍然无法更改"电池增益"值。  

    谢谢。

    此致、

    Tom

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    Tommy、您好!

    看起来您使用的是2节串联电池。 默认配置为3节电池。 您需要使用电源连接3节电池或仿真电池、以获得高于闪存更新电压的电压。 然后、您可以从 bqStudio 的"Data Memory"选项卡进行写入。 在 TRM 中搜索 cC0和 CC1

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    您好、Shirish、

    在更改为3个模拟单元(10.8V、3个串联1k Ω)后、我仍然无法写入数据存储器。

    我在更改数据存储器后使用了"全部写入"、但当我读回原始值时、它会一直回滚到原始值。

    如果您需要有关我的设置的更多信息、请告诉我。 谢谢。

    此致、

    Tom

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    当前数据存储器中的 cC0 CC1设置是什么?

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    您好、Shirish、

    CC1设置为低电平(绿色)、c0设置为高电平(红色)。 它之前已设置为两节电池、但我仍然无法使用两节电池写入存储器。

    F.Y.I.下面是我写入数据存储器的步骤:

    1) 1)发送 unseal 命令:0x36720414

    2)发送 unseal 完全访问命令:0xFFFFFFFF

    3)更改数据存储器值(例如序列号)

    4) 4)点击"全部写入"  

    5) 5)它设法在 Bqstudio 屏幕中更新、但在我读取存储器时回滚到原始值

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    Tommy、您好!

    请告诉我 bqStudio 的版本。 通过读取和 检查运行状态位确保器件未密封。

    在步骤4中、您可以按 Enter 键写入值。 如果写入失败、底部状态栏应以红色显示消息。