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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/766205/lm5026-schematic-review
您好！
在测试原型样本后、我们发现 Q5_VDS 的波形异常、您能帮助检查原理图是否需要修改。 谢谢你。
e2e.ti.com/.../6661.LM5026.pdf
输入电压：12V
输出电压：12V/1A
尊敬的 John：
很抱歉、原理图中有拼写错误、X'mer 的极性发生了逆转、我们使用 LM5026作为反激式转换器。
但 LM5026可用作反激式器件、如 PMP7895、我对吗？
还是不适合反激式拓扑？
如果它可以用作 反激式、您能否帮助检查原理图是否有任何问题？ 谢谢你。
C.T.
PMP7895是有源钳位反激式器件。 它在连续导通模式下运行。 附加的设计似乎在断续导通模式下运行。 原理图上的手写注释显示 XFMR 的初级电感为0.78uH、匝数比为2：3 ...这是正确的吗？ 峰值/rms FET 和二极管电流使用该电感值变得相当高。 转换器应在0.78uH 条件下工作、但2uH 会降低峰值/rms 电流。
有源钳位反激式的钳位谐振频率是钳位电容器和 XFMR 漏电感。 原理图上的注释显示泄漏电流为82nH。 谐振钳位频率需要等于开关频率、以便在25-75%占空比之间正常运行。 这意味着钳位电容器(C19) 需要为2.8uF 才能实现正确 的钳位谐振频率。 在 DCM 模式下运行也会导致占空比小于25%。 功率耗散很可能会增加到低于25%占空比(轻负载)、 因为当主 FET 导通时、钳位电流将沿错误方向流动。 由于输入电压较低且 DCM 运行模式、 我认为使用有源钳位没有太多好处。 我认为 RCD 钳位可提供相同或更好的效率。 可使用额定电压与 FET 相同的1-2A 超快速二极管。 在该功率级别下、0.1-0.22uF 电容器和20-40k Ω 电阻器应该足够了。
使用 输出 电流仅为1A 的同步整流器也没有什么好处。 肖特基二极管应提供类似的效率。
XFMR 次要文件上的点是错误的、但上一个电子邮件线程似乎说这是已修复的。
R15缓冲电阻值看起来很低。 我通常使用75-100欧姆电阻器。
U3光耦应是"A"级、CTR 范围限制为80-160%。 无额定值的光耦合器的 CTR 范围为50-600%。 环路增益的变化可能超过20dB、因此难以进行环路补偿。
我不熟悉次级侧使用的误差放大器、因此我无法评论工作点偏置或环路补偿。
希望这对您有所帮助。 如果您有更多问题、请作出回应。
谢谢、
David
