[参考译文] CSD19534Q5A：用于确认 SO (安全操作)的 Id 测量方法。

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Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A, LM5145

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/765625/csd19534q5a-ids-measurmant-method-for-aso-are-of-safety-operation-confirming

器件型号：CSD19534Q5A
主题中讨论的其他器件： LM5145

大家好、

我的一位客户正在使用 CSD19534Q5A 作为外部 MOSFET 在自己的 PCB 上评估 LM5145。

现在、他们正在尝试检查 CSD19534是否在 MOSFET 的安全运行(Aso)区域工作。为此、他们尝试使用示波器的电流探头测量 MOSFET 漏极电流。

但是、由于它们为电流测量添加了跳线、因此观察到了大尖峰噪声。

您是否有任何想法来测量具有较小尖峰噪声的漏极电流？

还是尖峰噪声对测量 ASO 没有影响？我认为这是使用低通滤波器的好方法。使用低通滤波器是否没有问题？

非常感谢您的回复？

此致、

Kazuya Nakai。

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1120820 points

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Nakai San、您好！
感谢您向客户推广 TI FET。测量 MOSFET 漏极电流具有挑战性。您必须断开电流路径并为电流探头插入环路或低欧姆电流分流器(电阻器)以进行测量。为什么客户担心开关模式电源应用中的安全工作区(SOA)？通常情况下、如果 FET 在饱和区域运行、则更需要考虑 SOA、在饱和区域中、漏极-源极电流和漏极电流上同时存在电压、从而导致高功率耗散。典型应用包括热插拔/电子保险丝、负载开关和线性稳压器。在降压转换器中、MOSFET 在开关转换期间在饱和区域中具有极短周期的截止(OFF)和线性(ON)区域之间进行交替。 SOA 可以衡量 MOSFET 的稳健性、但在开关模式应用中、更重要的是要确保 VDS 和 IDS 不超过数据表中的绝对最大额定值、并且 FET 中耗散的功率不会导致结温 TJ、超过数据表中的最大额定值。您可以通过以下博客了解有关 SOA 的更多信息： e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-2-safe-operating-area-soa-graph。

使用电流探头测量漏极电流时、请确保环路足够大、以容纳电流探头。除了限制电流探头和/或示波器的带宽外、我不知道使用低通滤波器的好方法。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1120820 points

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您好、John、

感谢您的回复。您的回复对客户和我都很有帮助。我将询问客户为何需要检查 SOA。

我可以再问几个有关 CSD19534Q5A 参数定义的问题吗？

问题1. 当 FET 导通时、TD (on)是否意味着 Vgs=5V 与 Ids=5A 之间的时间？
问题2. 当 FET 关断时、TD (off)是否意味着 Vgs=5V 与 Ids=5A 之间的时间？
问题3. tr 是否意味着 FET 导通时 IDs=1A 和 IDs=9A 之间的时间？
问题4. 当 FET 关断时、TF 是否意味着 IDs=9A 和 IDs=1A 之间的时间？

再次感谢、致以诚挚的问候、
Kazuya Nakai。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1120820 points

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您好 Kazuya Nakai、
感谢您的关注。有关开关参数的详细说明、请参阅此博客： e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-5-switching-parameters。这是一个有关了解 MOSFET 数据表的多部分系列： e2e.ti.com/.../MOSFET+Blog+Series

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1120820 points

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您好、John、

非常感谢您的回复、很抱歉我迟到了。

正如我在第一个主题中所说、客户将 CSD19534Q5A 用于 LM5145降压控制器的外部 FET、他们正在评估自己 PCB 上的 FET。到目前为止、他们没有在评估中观察到任何击穿。但它们在 FET 和 LM5145数据表中计算了高侧/低侧基极的 CSD19534Q5A 开/关时序。计算结果为随附的 PDF 文件。根据计算、可以得出两个击穿时序。

LM5145数据表(SNVSAI4)

http://www.ti.com/lit/ds/snvsai4/snvsai4.pdf

《CSD19534Q5A 数据表》(文献编号：SLPS483)

http://www.tij.co.jp/jp/lit/ds/symlink/csd19534q5a.pdf

他们担心、虽然在当前评估中未观察到任何击穿、但在生产开始后可能会发生击穿。

那么、您能给我以下各项的评论或建议吗？

问题1. 客户计算是否正确？

问题2. 是否存在击穿问题？

问题3. 它们的计算使用所有典型数据。如果温度因制造变化而从25°C 变为高电平或低电平、客户如何计算击穿时序？

问题4. 如果您有任何推荐的 FET、请告诉我吗？

再次非常感谢、致以诚挚的问候、

Kazuya Nakai。 /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/LM5145-with-CSD19534Q5A_5F00_on_5F00_off_5F00_delay_5F00_020819.pdf

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1120820 points

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您好 Kazuya Nakai、
我已要求 LM5145控制器团队为您做一个介绍。我认为这与其说是 FET 问题、更像是控制器问题。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1120820 points

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您好、John、

非常感谢您将我的问题转发给 LM5145团队。
但我没有从团队那里得到任何答案。

John、我可以问您几个问题吗？

问：CSD19534Q5A 数据表中仅描述了动态杆菌的 TD (ON)、TD (OFF)、tr、TF 的典型数据。您是否有最小值和最大值的任何数据。这些参数有多大变化？小巧吗？例如、+/-20%？

谢谢、此致、
Kazuya Nakai。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1120820 points

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Nakai San、

正如我们通过电子邮件与 LM5145控制器讨论了 MOSFET 死区时间(在您的电路配置中未发现任何问题)、我们可以继续完成此主题。除非有其他问题、否则请单击"此问题已解决"以关闭此问题。

此致、

Tim

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1120820 points

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Tim、

感谢您的强力支持。我明白了。我用剪贴包装盒回复。

此致、
Kazuya Nakai。

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