[参考译文] 请帮助推荐主流热插拔保护模型。

您好、Elsa、

请问您的最大负载电流是多少？

如果您的应用是高电流应用、假设大于10A、您可以使用以下热插拔选择工具。
www.ti.com/.../slyt643.pdf

您好 Praveen、
新年快乐！

非常感谢您的建议、我还有一些问题。
因为我在 webench 上进行了仿真，所以推荐使用 LM5069，我无法确定它是否是最佳解决方案。
输入电压为40-60V、通常为54V、启动时的最大电流为10A、但运行期间的最大电流将达到20A、负载电容为400uF
问题如下：
1. MOS 选择 FDB047N10CN、100V/164A、其 SOA 性能是否正常？
2.设置160W 的 PLIM 是否合理
3.添加 dv/dt 电路后、实际故障时间(Tfault)仅为0.7ms、这对性能没有影响
工作电流为20A、不需要 MOS 的 SOA 压力
如果未添加 dv/dt 电路、LM5069本身的浪涌电流限制是多少？
6.如果需要通过外部控制关闭54V 输出、是否可以使用 UVLO/EN 引脚连接 MCU？ EN 引脚的高低电平是多少？


非常感谢。

BRS
Elsa Duan

您好、Elsa、

可以使用设计计算器验证设计可行性(SOA 裕度)。 可从 www.ti.com/.../toolssoftware 获取
请填写并发送给我进行审核。
我们提供了培训视频来帮助设计计算器。

如果未添加 dv/dt 电路、LM5069本身的浪涌电流限制是多少？
浪涌电流将限制为 PLIM/VDS。 在启动时、Vout=0、因此 Vd=Vin。 随着 Vout 的增大、Vds 会减小、因此浪涌电流会增大。

6.如果需要通过外部控制关闭54V 输出、是否可以使用 UVLO/EN 引脚连接 MCU？ EN 引脚的高低电平是多少？
是的、可以。 请参阅数据表中的第7.4.4节"关断控制"。

此致、
Rakesh

您好、Elsa、

设计看起来不错。
如果您的最大负载电流为10A、我建议增大 Rsense (可能为4m Ω)、以将最小电流限制设置为恰好高于10A。

此致、
Rakesh

您好、Rakesh、
非常感谢。
它将以更高的电流运行、达到20A。
如果工作电流为20A、MOS 的 SOA 是否需要承受电压？

BRS
Elsa Duan

您好 Rakesh：
20A 仅出现在正常操作过程中、持续时间不会超过1ms。 热插拔缓慢启动期间的最大负载电流仅为10A。 就个人而言、我认为20A 不会对 MOS 的 SOA 造成压力、但会影响 Rsense

您好！

在您希望将哪个电流电平视为故障/过载电流？ 是10A 还是20A？

如果将 CL 设置为10A、则器件允许故障计时器周期(即1ms)的瞬态过载高达1.9xCL = 19A。 如果过载持续时间超过1ms、则器件会关断外部 FET。

此致、
Rakesh

我想使用24A 作为过载电流、因此设置 Rsense = 2m Ω。

1.如果将 CL 设置为12.5A、1.9*12.5=24A、Rsense =3.8m Ω，那是可以的吗？

2.如果我设置 Rsense = 2m Ω，并且只考虑高于24A 的过流保护，因为正常运行电流将达到20A，这是否正常？ MOSFET SOA 在上电期间仅关心10A？

为什么需要两个 MOSFET？ SOA 是否仅关注加电期间的最大电流10A？ 在电源完成后、软件将需要几分钟的时间才能运行、然后才能实现20A 电流。 到目前、MOS 已完全打开。