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[参考译文] BUF16821-Q1:有关一系列电容的隔离电阻器值的应用问题

Guru**** 2587365 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/761603/buf16821-q1-application-concern-about-the-isolation-resistor-values-for-a-range-of-capacitance

器件型号:BUF16821-Q1

大家好、

  有一  个 RISO 与 CLOAD 应用程序需要您的帮助。   SBOA134中有一个有关 RISO 与 CLOAD 的表。  

  但我的客户希望 VCOM 输出使用10欧姆与10uF、因为 VCOM 纹波和噪声可以从800mV 到150mV。

  需要您的帮助才能获得有关增益和相位裕度分析的建议。

此致、

艾伯特·李。

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    您好、Albert、

    我已就此主题通知了我们的专家。 请在19年1月14日之前回复。

    谢谢、

    Aaron

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    您好、Albert、

    无法测量相位裕度、我将在下周检查瞬态响应、RISO=10欧姆、CLOAD=10uF

    此致、
    Costin
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    您好、Albert、

    Riso = 10欧姆将减缓斜升。 输出缓冲器稳定、稳定时间为~500uS

    我对 Cload=10uF 和/out RISO=10欧姆进行了比较、没有 RISO 的电容器由于快速瞬态而具有极小的稳定性振铃

    快速斜升轨迹:Cload =10uF

    缓斜升轨迹;Clload=10uF RISO=10 Ω

    VIN=8V

    DAC=1F0至 DAC=1FF

    此致、

    Costin

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    您好、Albert、

    我没有听到您的反馈,我认为您能够解决您的问题。 如果不是、只需在下面发布回复(如果该线程由于超时而锁定、则创建新线程)

    此致、
    Costin