我必须进行一些精度计算、以确保不会损坏连接到 LM5060的 FET。
一个重要的精度值是数据表第5页的比率(Isense/Iout-en)。 如果比率过高、则所连接 FET 的 VDS 测量将受到重要影响。 如果比率介于1.70和2.30之间、则 FET 产生的关断电流的总精度为+/-15%(不包括 VDS 精度)。 ->这很重要！
如果有一张图表、显示温度与比率之间的关系、这将会有所帮助。
您好、Rakesh、
这是我们原理图中的一个片段。 如果我们能够增加流经 FET 的电流、R1 (Rsens)可能会发生变化：
我们的用例：
-我们需要一个高侧 FET (IAUT300N08S5N014)电路、该电路具有自我保护功能(如果短路、FET 不会损坏)
－一个非常慢的40A 保险丝(汽车保险丝)将保护电路不受长时间过载的影响
-如果连续电流为40A、则不必损坏 FET
-如果持续电流为40A、则驱动器(LM5060)不必关闭 FET (最好是45A 的电流、与保险丝有安全间隙、防止出现异常关闭)
温度范围：-20°C 70°C 环境温度
- FET 的功率损耗不超过2.5W (并联 RDSon = 1m Ω@Tj=145°C)->最大值 50A ->最大精度：45A +/-5A。
您好、Rakesh、
提示：直接在引脚上测量 Voffset 非常有用。
但我对您在 Excel 工作表中完成的误差计算感到有点失望。 完全错误：
您计算得出(uA x 欧姆)- V... 单位不在同一范围->在这种情况下、Voffset 不会产生任何影响！
我认为、Voffset min 或 max 的使用对于 min/max 计算不正确、但我将证明这一点、并上传我的误差计算版本。 请在上传后立即查看。
