[参考译文] LM5060：电流感测精度-比率(Isens/Iout-en)

您好，Jetzer

感谢您在 E2E 上与我们联系！
您能否分享您的应用用例、终端设备和目标精度要求、以检查 LM5060是否适合

此致、
Rakesh

您好、Rakesh、

这是我们原理图中的一个片段。 如果我们能够增加流经 FET 的电流、R1 (Rsens)可能会发生变化：

我们的用例：
-我们需要一个高侧 FET (IAUT300N08S5N014)电路、该电路具有自我保护功能(如果短路、FET 不会损坏)
－一个非常慢的40A 保险丝(汽车保险丝)将保护电路不受长时间过载的影响
-如果连续电流为40A、则不必损坏 FET
-如果持续电流为40A、则驱动器(LM5060)不必关闭 FET (最好是45A 的电流、与保险丝有安全间隙、防止出现异常关闭)
温度范围：-20°C 70°C 环境温度
- FET 的功率损耗不超过2.5W (并联 RDSon = 1m Ω@Tj=145°C)->最大值 50A ->最大精度：45A +/-5A。

您好、Rakesh、

感谢您的快速响应以及更准确的驱动器的建议！
另一个重要要求是低工作电压。 电压介于6.7V 之间、最高应达到60V。 此外、LM5060的 VGate/VIN 行为要好得多。

LM5060的 VDS 容差是否也包括比率容差？ 如果 VDS 容差导致电流感测容差为7A (7mV、1m Ω Rdson -> 7A)、并且 IRatio 容差约为15%、则总容差(无 Rdson 容差)约为30%。 是这样、还是在引脚感应和输出端测量的 VDS 容差？
如果相关参数的总容差带与芯片温度相关、这将非常有帮助。

似乎、我必须优化 FET 的热耦合->增大流经 FET 的最大电流->能够覆盖电流感应的30%精度。

或者您是否有其他驱动程序建议？ 请告诉我！

谢谢、此致、
打败 Jetzer

您好，Jetzer

根据最小工作电压要求、LM5060是我们唯一的选择。

VDS 容差来自 VDS 比较器的偏移、不包括 IRatio 容差。 由于您不使用 Ro 电阻器、因此 Iratio 不会影响数据表中的每 eq (21)精度。

请使用随附的工作表进行精度计算。 将 RDS (ON)随温度的变化进行馈送、以估算精度。

e2e.ti.com/.../LM5060-Isc-accuracy-cal.xlsx

此致、

Rakesh

您好、Rakesh、

提示：直接在引脚上测量 Voffset 非常有用。

但我对您在 Excel 工作表中完成的误差计算感到有点失望。 完全错误：

 

您计算得出(uA x 欧姆)- V... 单位不在同一范围->在这种情况下、Voffset 不会产生任何影响！
我认为、Voffset min 或 max 的使用对于 min/max 计算不正确、但我将证明这一点、并上传我的误差计算版本。 请在上传后立即查看。

您好，Jetzer

你是对的。 我忽略了这些装置...
请在计算准备就绪后立即分享。

此致、
Rakesh

HiRakesh、

这是包含修改后的精度计算的 Excel 工作表。 请看一下。

BR、

心搏

e2e.ti.com/.../8540.LM5060-Isc-accuracy-cal.xlsx

您好，Jetzer

感谢您更正这些单位。
调整单位后、我们得到相同的值、这是该器件的预期值。

此致、
Rakesh