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[参考译文] BQ25570：低功耗电压电平转换

admin
Guru**** 2583475 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25570, CSD13380F3

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/768093/bq25570-low-power-voltage-level-shifting

器件型号：BQ25570
主题中讨论的其他器件： CSD13380F3

您好！  

我正在从事一个物联网项目、该项目使用 BQ25570进行太阳能能量收集。 我们希望在夜间完全关闭芯片电源(/EN = 1)。 MCU 在3.3V 电压下运行。 因此、我们必须将电压电平从3.3V 转换为 VBAT。 我发现、大多数电压电平位移 IC 的静态电流为1-10 uA。  

在 不牺牲 BQ25570 (典型值1nA)的低静态电流的情况下、执行电压电平转换的最佳(最低功耗和最简单)方法是什么？

提前感谢

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    TI__Guru**** 2583475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Eric、

    其他客户在 BAT 至/EN 之间使用了一个多兆欧姆电阻器、然后在漏极连接至/EN 且源极连接至 GND 的情况下使用了一个低泄漏 NFET。 NFET 栅极有一个连接到 GND 的大电阻器、当您希望充电器打开时被拉高、当您希望充电器关闭时、允许拉低。
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    TI__Guru**** 2583475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Jeff：

    感谢您的建议。 我看了 DigiKey 和 Mouser。 看起来、参数搜索或所述的 IDSS 缝隙中通常未注明泄漏电流、因此过于谨慎。

    您能否推荐低泄漏 NFET 和 PFET？
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    TI__Guru**** 2583475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Eric、

    当 VDS 被施加且 VGS 为零时、重要规格为 IDSS。 在分销商网站上无法搜索。 它大致随 VDS 额定电压而变化。 "良好"的 FET 显示的电流为1uA 或更低。 例如、TI 拥有 FemtoFET 系列中的 CSD13380F3、当 VDS=9.6V 且 VGS=0V 时、其 IDSS = 50nA。