This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5145:当 TI FET CSD19534Q5A 与 LM5145搭配使用时、是否存在击穿问题?

Guru**** 1503120 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A, LM5145, CSD18563Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/765725/lm5145-when-ti-fet-csd19534q5a-is-used-with-lm5145-is-there-any-shoot-through-problem

器件型号:LM5145
主题中讨论的其他器件:CSD19534Q5ACSD18563Q5A

 大家好、

 我们的一位客户将使用 TI FET CSD19534Q5A 来实现 LM5145的高/低侧 FET。 他们担心击穿。  是否存在击穿问题?

 它们的电源状态:

 VIN=DC18V~40V

 Vo = 12.5V

 IO= 0.15A~4.75A               


 非常感谢您的答复。

 此致、

 Kazuya Nakai。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Nakai-San、

    由于 LM5145具有自适应栅极驱动器、因此不存在击穿问题。 但是、考虑到最大输入电压为40V、我建议使用60V NexFET、例如 CSD18563Q5A。 这也将提供更高的效率。 请使用 Lm5145快速入门工具(可从产品文件夹中下载)来帮助选择组件。

    此致、
    Tim
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tim、

    感谢您的快速回复和 FET 建议。

    关于 LM5145自适应死区时间控制、如果使用的 FET 在开启和关闭之间具有较大的传播延迟差、自适应死区时间控制功能是否将死区时间更改为超过14ns (LM5145的典型死区时间)?

    此外、您是否还有详细介绍自适应死区时间控制的文档?

    再次感谢、致以诚挚的问候、
    Kazuya Nakai。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Nakai-San、

    FET 的米勒平坦区应处于3V 至5V 范围内(请参阅 FET 数据表栅极电荷曲线中的平坦线)。 然后、对于7.5V 栅极驱动振幅、导通和关断将是对称的。 但是、死区时间电路 shold 仍按预期工作。 我有一个自适应栅极驱动电路原理图、但它仅在 NDA 下共享。

    此致、

    Tim

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tim、

    根据 LM5145数据表(SNVSAI4)、HO 导通死区时间和 LO 导通死区时间均为14ns。 您是否意味着通过 NMOSFET 上的自适应死区时间延迟电路进行更改、从而更改了14ns?

    此致、
    Kazuya Nakai。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tim、

    请问您、CSD19534Q5A 可以与 LM5145搭配使用、而不会出现击穿问题、不能吗?

    谢谢、此致、
    Kazuya Nakai。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tim、

    您可以查看随附的 Excel 文件吗?

    客户担心文件中显示的计时击穿。

    自适应死区时间控制会将 LM5145 HO/LO 死区时间更改为14ns、这是否没有问题?

    非常感谢、致以诚挚的问候、

    Kazuya Nakai。

    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/LM5145-with-CSD19534Q5A_5F00_Shoot-through_5F00_012819.xlsx

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tim、

    我知道你很忙、但你能给我评论死区时间问题吗?

    死区时间是否由 CSD19534Q5A 中 LM5145的自适应死区时间控制自动延长至14ns?
    客户正在使用 CSD19534Q5A 评估 LM5145、他们在评估中未观察到任何击穿。 但他们担心生产开始后出现击穿问题、因为他们不知道自适应死区时间控制是如何工作的。

    您的评论将对他们有所帮助。

    谢谢、此致、
    Kazuya Nakai。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Nakai-San、

     
    应该不会出现问题。 如果需要、您可以转发开关波形以供查看(HO-SW、SW 和 LO 的取值为20ns/div)。

    此致、

    Tim

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tim、

    非常感谢您的回复。
    我明白了。 我要求客户将这些波形发送给我。 当我接收到波形时、我会将其直接发送给您。

    再次感谢、致以诚挚的问候、
    Kazuya Nakai。