主题中讨论的其他器件:CSD19534Q5A、 CSD18563Q5A
大家好、
我们的一位客户将使用 TI FET CSD19534Q5A 来实现 LM5145的高/低侧 FET。 他们担心击穿。 是否存在击穿问题?
它们的电源状态:
VIN=DC18V~40V
Vo = 12.5V
IO= 0.15A~4.75A
非常感谢您的答复。
此致、
Kazuya Nakai。
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大家好、
我们的一位客户将使用 TI FET CSD19534Q5A 来实现 LM5145的高/低侧 FET。 他们担心击穿。 是否存在击穿问题?
它们的电源状态:
VIN=DC18V~40V
Vo = 12.5V
IO= 0.15A~4.75A
非常感谢您的答复。
此致、
Kazuya Nakai。
您好、Tim、
您可以查看随附的 Excel 文件吗?
客户担心文件中显示的计时击穿。
自适应死区时间控制会将 LM5145 HO/LO 死区时间更改为14ns、这是否没有问题?
非常感谢、致以诚挚的问候、
Kazuya Nakai。