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[参考译文] BQ24075：BQ24075RGTR 退出睡眠模式

admin
Guru**** 2516170 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/765973/bq24075-bq24075rgtr-out-of-sleep-mode

器件型号：BQ24075

如何 使该芯片 BQ24075RGTR 脱离睡眠模式？

参考数据表： 数据表 http://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq24075.pdf

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    TI__Guru**** 2516170 points
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    您好！
    当 VIN > UVLO 和 VIN (DT)时、器件将退出睡眠模式。
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    TI__Guru**** 2516170 points
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    您好！
    谢谢你。
    我有几个后续问题：
    我们是否可以将此芯片(BQ24075RGTR)配置为从不进入睡眠模式？
    2.如果没有、您会推荐使用类似的替代芯片吗？
    谢谢、
    Sripriya
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    TI__Guru**** 2516170 points
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    Sripriya、
    您是否有任何理由担心此功能？ 该器件具有 VINDPM、可尝试将输入电压保持在4.5V 以上并降低输入电流以确保这一点。 您是否希望输入电压处于3.3V 范围内？
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    TI__Guru**** 2516170 points
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    我们的电源是无线电源接收器。 在瞬态负载变化期间、此电池充电器 IC 的输入(VIN)会崩溃、导致其按预期进入睡眠状态。 因此、我们怀疑此 IC 将 VBAT (4.16V)置于 VIN 上、这似乎与无线电源接收器的输出相抗衡。 这种情况持续存在、直到大约20ms 后系统重新启动时出现睡眠超时。 我们希望禁用睡眠模式以测试我们的理论。

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    TI__Guru**** 2516170 points
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    您好！
    无法在此器件上禁用睡眠模式。 由于输入 FET 在睡眠模式下关断、并且输入端有反向 FET、因此该器件上的 VBAT 不应泄漏到 VIN。 您是否曾尝试在输入端放置肖特基二极管、以查看 VBAT 是否仍然显示在 VIN 上？
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    TI__Guru**** 2516170 points
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    您还能详细说明该项目的终端设备以及计划的充电电流是多少。
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    TI__Guru**** 2516170 points
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    数据表指示 20ms 进入睡眠模式后 FET 断开。 我们担心20ms 的持续时间行为。

    9.4.1睡眠模式

    当输入介于 UVLO 和 VIN (DT)之间时、器件进入睡眠模式。 "进入睡眠模式后大于20

    ms IN 和 OUT 引脚之间的内部 FET 连接被禁用"

    请查找从我们的测试中捕获的示波器截图。

    CH1显示 Vin 跟随 Vbat 20ms、然后 FET 关断。


     

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    TI__Guru**** 2516170 points
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    我们将电流设置为500mA、但主机可以覆盖它。 它是条码读取器。
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    TI__Guru**** 2516170 points
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    您好！
    您能否使用较低的 VBAT (约3.2V)尝试此操作并布置示波器捕获。 另外、尝试将/PGOOD 上的二极管的阳极连接到 SYSOFF、以便关闭与电池的连接、并让我知道发生了什么。 这样做是为了确保在进入睡眠模式之前不存在 VIN。

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    TI__Guru**** 2516170 points
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    Sripriya、
    我在实验室中重现了这一点、您可以正确地看到、这是由于器件的睡眠模式造成的。 输入 FET 等待20ms、然后关闭进入睡眠模式。
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    TI__Guru**** 2516170 points
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    非常感谢您的帮助。

    在我们的设计中、我们使用 Qi WPT 接收器 IDTP9027LP 为该 TI 器件供电。

    IDT 芯片对瞬态事件的响应缓慢。

    如果您有任何建议、在存在特定电流需求时如何保持 TI 器件的 VIN、这将会很有帮助。

    现在、我们在 VIN 节点上使用高达40uF 的电容式电容。

    再次感谢您的帮助。

    谢谢、

    Priya