您好!
数据表第19页介绍了以下内容。
我对此内容有两个问题。
您能告诉我从应用 VBUS 到 REG08[2]变为高电平的延迟时间吗?
2.bq24297在"REG 08 [2]变为高电平"之后执行“打开 D+ IDP_SRC 和 D–下拉电阻器 RDM_DWN 40ms”。
我的理解是否正确?
此致、
Yusuke
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
Ning - San、
感谢您的友好支持。
让我再了解一件事。
我确认了以下发布历史记录。
“如果输入源有效,DPDM 检测将开始,并且可能需要0.9s 才能完成,具体取决于您的源类型和连接。”
请告诉我0.9秒的内容。
1) 从 DCD 到 REG08[7:6] 端口写入完成的最长时间() :0.9秒
2)仅限 DCD:0.9sec⇒主要检测或非标准适配器歧视:xx sec
1 )或2)是正确的?
请告诉我从 VBUS 上升到 REG08写入完成所需的时间。
我希望该信息确定读取 REG08[7:6]的延迟时间。
此致、
Yusuke