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我们目前正在研究 PMU TPS65721、但在我们做出选择之前、我需要了解有关内部 LDO 的更多信息。 更具体地说、我需要知道它在负载瞬态下的行为。 在 LDO 中–例如 tps7a05–有多个图描述了瞬态行为(p7-9)。 您对 TPS65721有任何类似的信息吗? 我基本上需要知道 TPS65721在负载下降得太快时是否会杀死我们的 IC。
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我们目前正在研究 PMU TPS65721、但在我们做出选择之前、我需要了解有关内部 LDO 的更多信息。 更具体地说、我需要知道它在负载瞬态下的行为。 在 LDO 中–例如 tps7a05–有多个图描述了瞬态行为(p7-9)。 您对 TPS65721有任何类似的信息吗? 我基本上需要知道 TPS65721在负载下降得太快时是否会杀死我们的 IC。
您好、Lasse、
数据表中的图38显示了 LDO 的瞬态响应:
www.ti.com/.../tps65721.pdf
但是、9.2.2.1.2节中建议的前馈电容值也会影响瞬态响应
此致、
Rick S.
你好 Rick!
前馈电容器意味着输出电容器?
在本例中、我很清楚输出瞬态受到这种情况的影响。 我想此测量是使用4.7uF X5R 执行的、该器件在您的评估板中使用?
图38仅给出了一小部分故事。 此外、很难看到该图上的瞬态实际上有多大。 此外、未给出压摆率。
我感兴趣的是您最坏情况下的瞬态、我猜它是200mA 至0mA 的阶跃、具有类似于 TPS7a05中图15的高压摆率。
您是否能够提供此值?