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[参考译文] CSD87351Q5D &放大器的参数；CSD87350Q5D

admin
Guru**** 670100 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD87350Q5D, CSD87351Q5D
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/766342/parameter-of-csd87351q5d-csd87350q5d

主题中讨论的其他器件：CSD87350Q5D、 CSD87351Q5D

团队、  

客户询问 CSD87351Q5D 和 CSD87350Q5D 的参数、但数据表中缺少一些参数。  

请提供帮助、非常感谢！

CSD87351Q5D：RDS (on)、ESD (kV)、N MOS 或 P MOS、单通道或双通道

CSD87350Q5D： RDS (on)、ESD (kV)、N MOS 或 P MOS、 单路或双路

非常感谢！

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    TI__Guru**** 670100 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    廖玉生、您好！
    感谢您关注 TI 电源块。

    CSD87351Q5D：采用半桥配置的双路 NMOS 电源块、适用于同步降压转换器。 TI 未在数据表中为 FET 规格 RDS (on)。 请参阅数据表中的图30和31。 在这些器件中、高侧可使用7.4m Ω(典型值)@ 4.5VGS、低侧可使用2.6m Ω(典型值)@ 4.5VGS。 该器件已通过400V HBD 和2kV CDM 来实现 ESD。

    CSD87350Q5D：采用半桥配置的双路 NMOS 电源块、适用于同步降压转换器。 TI 未在数据表中为 FET 规格 RDS (on)。 请参阅数据表中的图30和31。 在这些器件中、高侧可使用5m Ω(典型值)@ 4.5VGS、低侧可使用2.1m Ω(典型值)@ 4.5VGS。 该器件已通过500V HBD 和2kV CDM 来实现 ESD。