[参考译文] LM25141-Q1：LM25141-Q1高侧 FET 栅极电阻器电源监控器

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM25141-Q1

尊敬的 TI 团队：

如何计算 LM25141-Q1应用中的高侧 FET 栅极电阻器电源消耗？

我知道、通常的栅极驱动损耗(Pgate = Qg*FSW*Vcc)(总栅极电阻中的电源消耗)根据各自的电阻值在栅极驱动器上拉/下拉电阻、外部栅极电阻和 FET 内部栅极电阻之间进行分压。

我的问题：
LM25141-Q1驱动器中的 RGHI 和 RGLO 是什么？
2.您能解释一下如何将 RGHI 替换为 RG (在应用手册中的公式(6)中)以获得栅极电阻器的损耗吗？
您能否提供 LM25141-Q1高侧 FET 栅极电阻器电源消耗计算示例？ (可以自行选择 FET)

期待您的帮助、

Piotr

0 admin 6 年多前

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您好、Piotr、

我已将您的问题转发给产品专家、以获得他们的反馈。

此致、
Katelyn

0 admin 6 年多前

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Piotr、

1、RGHI = 1.5欧姆、RGLO = 1.2欧姆。我们可以通过 IOOH 和 IOLH 下的数据表第8页的电气特性表、使用5V 驱动电压计算出这一点。

2.不确定的是，那个也让我感到困惑。让我与团队联系、并就此与您联系。

3.您可以通过仿真获得更快、更准确的结果。您是否使用过 WEBENCH 或 TINA TI？

Sam

0 admin 6 年多前

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您好、Samuel、

请检查如何应用应用应用手册中的公式6以获取栅极电阻器中的功率耗散、并告知我们。

Piotr

0 admin 6 年多前

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Piotr、

我的联系人在18岁之前不在办公室。请稍后回复。

Sam

0 admin 6 年多前

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Piotr、

我又看了一下、我发现了它。 "将 RGHI 替换为 RG "表示"将分子中的 RGHI 替换为分子中的 RG。"

该功率是所有电阻器的总功率耗散。 RGHI/(RGHI+RG+RGI)小数仅取分子中电阻器耗散的部分功率。因此、替换该电阻器将计算该特定电阻器的功率耗散。

Sam

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