Other Parts Discussed in Thread: EV2400, BQSTUDIO
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器件型号：BQ35100 主题中讨论的其他器件：EV2400、 BQSTUDIO
您好！
我正遇到与 Alessandro Berruti 相同的问题。 我已将 BQ35100EVM 连接到 EV2400。 我还使用 SAFT LS 17500 LI-SOCL2电池、但仅使用一个电池。 阅读本文后、我还将 Chem ID 更改为0x0607。 我也使用了与亚历山德罗相同的步骤。 我的设计现在是：
| BAT+ | ------ |--- | ---- | -|---- | -- | --手动开关-- | -| |
| SAFT LS 17500 3、6V | 20千欧 | 150欧姆 | ||||
| 电池- | ------ | | | | | | |||
| | | | | |||||
| 电池组- | -------------------- | ---- | -|---- | -- | -------------- |
-| |
如您所见、我们具有大约0、18mA 的恒定负载、对于手动峰值、我们具有3、4伏特、组合电阻为145、8欧姆。 这会产生大约23mA 的电流。 如果我计算 LS17500的电阻、则电阻约为8、36欧姆。
- 将跳线插入 GE 上拉电阻器中
- 等待 BQStudio 识别电路板并等待 GA 位为低电平
- 监测计启动
- 等待一秒钟、直到 GA 为高电平
- 按下手动开关一秒钟
- 同时松开手动开关和量规限位器
- 等待直到 GA 位为低电平
- 检查 BQStudio 中的寄存器。
通过使用寄存器电压和调节的 R 检查数据图、我看到我的压降> 100mV。
在这里、我将 SOH_Merit 设置为高电平、有时也将 SOH_ERR 设置为高电平。 调节的 R 约为3-4欧姆。 如果我等待几分钟、然后再次执行步骤2-8 (不拉出/放置跳线)、那么我得到大约8欧姆(这几乎与我的计算结果相同)的调节 R、但我仍然得到 SOH_Merit 误差。
每次我执行上述步骤或第二个步骤而不执行 GE 上拉时、SOH 都会降低2%。
在 ACC 模式下进行校准、然后更改为 EOS 模式。
如果我选择不同的锂亚硫酰氯电池、表(数据存储器内容)中的值将发生变化。 因此、我认为我还需要电池的正确充电 ID、以查看 SOH 或 EOS 的计算是否正确。
那么、我怎么做呢？
此致
Benjamin Meder
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