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[参考译文] LM5116:LM5116有损坏风险,Vin=71至100V 和 output=12V/ input=2A

Guru**** 2614265 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/764739/lm5116-lm5116-have-damage-risk-vin-71-to-100v-and-output-12v-input-2a

器件型号:LM5116

尊敬的:


我们的客户使用 LM5116、电源规格和原理图如下所示、我们发现 IC 存在损坏风险。

系统电源规格:
•输入范围:72V 至100V
•输出电压:12V
•输出电流:2A

原理图:

损坏图片:

引脚到 GND 的测量。

LM5116故障 IC

通过

失败

引脚

接地 Ω Ω

1

3.35亿

X

2.

3.93亿

4m

3.

4.16亿

11.

4.

3.82亿

3.86亿

5.

3米

3米

6.

GND

GND

7.

3.8米

3.8米

8.

4m

4m

9.

3.27亿

3.3m

10.

3.8米

3.9米

11.

4.06亿

4.12亿

12.

4.4米

4.47亿

13.

2.2.

4.31.

14.

GND

GND

15.

3.7米

4.53.

16.

27k

29.

17.

84K

62公里

18

3.27亿

12K

19.

10m

15.

20.

4.7米

10.

测量波形:

此外、我们还使用 AN-1596 LM5116评估板来更改输出电压15V、但我们发现 IC 温度 TC 相当高。

如 有任何建议、请告知我。

谢谢、

此致、

劳伦斯。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Lawrence、

    我将您的问题转交给该部件的专家 Tim。

    此致、Robert
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Lawrence、

    以下是一些注释:

    不要超过 VCCX 最大工作电压15V。 如果 VOUT 为15V、则使用串联二极管或低压齐纳二极管来降低电压。
    输入电容器应更靠近 FET (这是为了减少电源环路寄生电感、从而减少 SW 电压过冲)。
    使用100nF 引导电容器(VCC 电容器值的1/10)。
    使用从 VCCX 到 GND 的1uF 去耦电容。
    自举二极管看起来很大(足够小的尺寸)。
    2A 应用中无需并联 MOSFET。


    此致、
    Tim