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[参考译文] LM5118:LM5118

Guru**** 1989775 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5118
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/761313/lm5118-lm5118

器件型号:LM5118

您好!

我们正在其中一个项目中使用 LM5118降压/升压 IC。 相同的开关频率已设置为420kHz。 我们观察到特定 IC 的大量辐射、这会导致 RE102测试失败。 在100MHz 至200MHz 频段和200MHz 至1GHz 频段中观察到发射。 大约130MHz 至180MHz 的发射水平超过50dBuV/m

在降压/升压 IC 之前、我们还有一个共模滤波器和 EMI 滤波器。

在 TI 的一篇文章中、我了解到可以通过向高侧 MOSFET 添加电阻来减少辐射、但没有指定要使用的电阻值。  

 
请任何人为此提供适当的解决方案。

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    尊敬的 Phrutvik:

    感谢您提出问题。

    上述频率范围内的辐射是由开关节点上的高频振铃引起的。 通过将电阻器添加到栅极电阻器、开关节点的上升时间会增加、从而减少振铃量。 该电阻器通常在1Ihm 至15Ohm 的范围内。 找到正确值的最佳方法就是在电路板上进行测试。

    另一个有助于减少振铃的选项是向开关节点添加缓冲器。

    谢谢、

    Garrett
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    您好、Garrett Roecker、

    我们尝试向高侧 MOSFET 的栅极添加10欧姆栅极电阻器。 这确实减少了振铃量、但发射量仍然很高。
    我将尝试使用其他电阻器值并告知您结果。 还请提出任何可减少排放的备选方案。

    谢谢、
    Phrutvik
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    尊敬的 Phrutvik:

    要查看的另一项是电路的布局。 涉及开关电流的大型环路可能会导致上述频段出现问题。

    开关节点上的振铃是否与 EMI 测试期间测量的值相同?

    谢谢

    Garrett