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器件型号：CSD19536KTT 以下是我们客户的原理图设计。
M-的电流要求为 350A 持续5秒、275A 持续5分钟或 125A 持续1小时。
如下图所示、当半桥中的较低 MOS 关断时会出现电压浪涌。
黄色的是 栅极电压(低 MOS)，、绿色的是 M-电压。
电压浪涌接近60V。 我们的客户不确定是否可以对 MOS 进行消磁。 他们希望 TI 能得出结论。
他们也期待 得到改进的解决方案。
