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[参考译文] BQ24780S：Q1和 Q2栅源极和栅漏极电容的原因？

admin
Guru**** 2505335 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17308Q3

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/763949/bq24780s-reason-for-gate-source-and-gate-drain-capacitance-for-q1-and-q2

器件型号：BQ24780S
主题中讨论的其他器件：CSD17308Q3

EVM 原理图建议在 C12和 C13上使用1nF 和47nF 电容器。 而 MOSFET CSD17308Q3 Ciss = 1000pF、Coss = 150pF。 C12和 C13的原因是什么？

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    TI__Guru**** 2505335 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    这些电容器会减慢 FET 的导通速度、从而提供软启动功能、从而在热插拔适配器时限制浪涌电流。 虽然不是基于 BQ2578080 EVM、但以下应用手册提供了有关类似电路的一些详细信息、可提供进一步的见解：
    www.ti.com/.../slva156.pdf

    此致、
    Steve