[参考译文] ULN2003A：PW 封装热性能与 TBD62003AFWG 的比较

尊敬的 Victor：  

您可以通过获取数据表中的 VCE / IC 来计算 ULN2003APW 的导通电阻。 在更高的电压下、获取负载电阻并查找流经每个通道(冰)的电流更容易。 之后、您可以使用以下公式计算功率耗散：  

1： L：  PD = Ice ^2 * RDS  (每通道)

2：将所有有效通道的功率耗散相加

3：将 PD * ThetaJA + TAmbient 相乘以确定器件的结温。

如果该值超过125C、则器件无法支持您提供的负载电流。

谢谢、

黄亚瑟

尊敬的 Arthur：

感谢您的回复。

但是、数据表中的 IC=500mA 值时没有 VCE。 下面是客户的测试数据。  

在此测试条件下、数据表中 ULN2003A 的 Rdson 约为1.06Ohm、在350mA 负载(~3.4Ohm)下比 Rdson 小得多。

您是否有更新版本的数据表或显示 ULN2003A Rdson 的测试数据？

谢谢、此致、

维克多

尊敬的 Victor：

您能评论一下客户是如何测量压降的吗？ 您的输入电源电压是多少？ 它们是否通过以下方式测量 Rdson：

(输入电压-输出电压)/ILOAD

如果您查看 ULN2003A 数据表中的图1、可以看到 VCE 和 ICE 之间的关系。在500mA ICE 下 、VCE 将介于1.5V 和1.7V 之间、具体取决于来自 ON/B 引脚的输入电流。

谢谢、

黄亚瑟

尊敬的 Arthur：

基极输入电压为5V、负载电压为12V。 它们采用(负载电阻器上的电压@0mA -负载电阻器上的电压@500mA)/Iload 作为等效导通电阻。 实际上(负载电阻器上的电压@0mA -负载电阻器上的电压@500mA)与 VCE 相同、因为晶体管/MOSFET 与负载串联。

您是否认为 ULN2003和 TBD62003之间的区别可能来自 ULN2003是晶体管阵列、而 TBD62003是 MOSFET 阵列？

谢谢、此致、
维克多

尊敬的 Arthur：

感谢您的建议。 我想我的客户可能会交换测试结果。

只需确认对于 ULN2003、VCE 应高于1.3V、因为有2个晶体管、每个 VCE 为~0.65V、而 MOSFET 阵列应具有较低的导通电阻(嗯、至少从它显示的两个 MOSFET 阵列数据表中看)。

谢谢、此致、

维克多