[参考译文] 自举电容器选择

Sasaki-San、

选择启动电容器并不是太重要。  折衷方法是更快地降低充电值、而较大的充电值将保持更长的时间。  通常情况下、IC 引导充电电路采用特定标称引导电容值设计、例如0.1uF 引导电荷可能与低压器件的 VIN 二极管压降、内部稳压器的二极管压降一样简单(例如 TPS54425示例的 VREG5)、 或更复杂的引导充电电路、适用于 TPS54331等宽输入电压器件。

让我们看看 TPS54425的示例。  该启动电容为0.1uF、50V、X7R、10%、0603。  引导电容器上的实际电压略小于5V。 5V 时该电容器的直流偏置特性实际上高于0.1uF。  我看到 TPS54425 应用中使用了16V 电容器(几年前我曾直接支持 TPS54425)。  即使额定电压为16V、电容仍超过0.1uF 的95%。  实际上、我不关心引导电容器典型电容的70%到75%、但正如您从上面可以看到的、选择电容损耗不大的电容器相对容易。

希望这对您有所帮助。  如果您需要更多指导、请告诉我。

Sasaki-San、

这始终是一种工程折衷。  我找不到直流偏置效应如此严重的特定示例电容器。    在典型启动电压下、即使是0.1uF、0402、10V 也仍然具有超过85%的电容。  它实际上仅对低频/高占空比应用或在输入电压低于标称启动电压且占空比超过100%的低净空压降模式下运行时起作用。  在这种情况下、引导电容器可以在高侧导通时间内放电至低于引导 UVLO (如果器件在引导电压上具有 UVLO)、然后高侧导通时间将提前终止。  如果您担心电容不足、请完全选择其他器件。  我在找到符合建议值的合适器件时没有遇到困难。