主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO、 EV2400
您好、先生、
由于我现在有黄金文件..为了大规模生产、我制作并运行了代码、通过我的微控制器(STM32L053)将 df.fs flie 上传到电量监测计闪存中。
但我无法读取3行和1条写入行。 因为它们是读取行、所以我只需注释...并运行代码...
这是我遇到错误的行...
W:16 64 05 00
X:170
C:16 66 00
C:16 04 E5 DB 64 9B //此行不执行
W:16 64 05 00
X:170
C:16 66 00
C:16 04 E5 DB 64 9B // 不执行
W:16 00 01 00 05 54 15
宽:16 64 C3 00
X:20
C:16 66 00
宽:16 00 05
W:16 64 05 00
X:170
C:16 66 00
C:16 04 3A 30 3A 9B //也不执行此行...
;------------------------------------------------------------
;执行闪存代码
;------------------------------------------------------------
宽:16 00 0F
W:16 64 0F 00 //不执行此行
X:4000
我只需注释这一行、因为这些是读取数据...
然后我只需检查 BQstudio ...即可检查数据存储器中的数据是否发生更改...
我看到 Ra 表中的变化...数据已更改...
但数据 memory...no的其他配置中不会更改、甚至在 chem id 中也是如此。
那么、我的问题是、为什么我无法从 df.fs 文件中读取某些行...?
是否需要 Bq.fs 文件来更新整个数据存储器...
我注意到的一点是、在延迟170个...second 行后、不执行...延迟是否存在任何问题...
如果你想要我的 df.fs 文件……请告诉我……我会上传它…
谢谢您、
Reena Patel