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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/761959/lmg1210-lmg1210-dimensions-or-recommended-land-pattern
我在数据表中找不到有关产品尺寸或推荐焊盘图案的任何详细信息。 数据表中有一个示例 PCB 布局、但没有标度、因此创建尺寸还不够。 我错过了什么吗？
您好、Michael、
欢迎使用 e2e！
感谢您关注这一点。 我们将进行修复、以便在 datasheet.e2e.ti.com/.../5355.LMG1210-package-drawing.pdf 中包含以下附件
此外、您还可以通过以下链接下载 STEP 和 BXL 文件：
您还有其他有关 lmg1210的问题吗？
谢谢、
谢谢、这太完美了！ 对于其他负载值、您是否有关于上升和下降时间的任何数据？ 提供0pF 和1nF、但在100pF 负载下是否也有时间？
此外、在数据表的第15页上、真值表指出、在独立模式下、HI/HO 和 LI/LO 可以同时为高电平。 在第18页、有一条线表示 LI 和 HI 不能同时处于高电平。 我只想确认此行仅指同步降压示例、并且真值表是正确的。
再次感谢、 Michael
感谢后续行动。
我们决定不测试100pF、因为与100pF 电容负载情况相比、我们测试的大多数 GaN FET 的性能更类似于空载情况。
LMG1210能够在独立输入模式(IIM)下驱动其输入、在此模式下、LI/HI 可被重叠。 LMG1210还能够在 PWM 模式下驱动其输入、在该模式下、1210会导致死区时间不会使输入重叠。 这两种模式可通过数据表第7.4节中的 DHL/DLH 引脚来选择。
如果您有任何疑问、请告诉我、
您好 Jeffrey、
我明白了。 好的、这很有帮助。 现在最后一个问题。
我看到自举二极管阳极连接会返回到 IC、这与大多数其他栅极驱动器不同。 通常、它直接连接到 VDD。 我假设这样做是为了确保高侧输出驱动器电压不超过5V。 但是、我不确定这将如何影响多级转换器的自举方法、尤其是当转换器输入电压较高(48V 或更高)时、内部 LDO 不会处理此问题。 以下白皮书详细介绍了当堆叠两个以上的开关时、多级转换器的常见高侧自举方法。
具有自举驱动器电路的新型三相降压转换器
https://ieeexplore.ieee.org/document/4342286
基本而言、它不是将二极管阳极连接到 VDD 电源(在本例中为内部 LDO)、而是连接到其下方开关的 HB 节点。 只要正向压降不会将栅极驱动器置于 UVLO 中、就可以将其扩展为任意数量的开关。
那么、我的问题是、我是否可以将 VIN 和 VDD 引脚一起连接到5V 电源并使 BST 引脚保持未连接状态、然后将自举二极管阳极连接到其下方开关的 HB 引脚？ (例如、对于3个堆叠开关、一个 LMG1210将驱动较低的两个开关。 第二个半桥驱动器将断开 LO、二极管阳极将连接到下 LMG1210的 HB 引脚。)
是否有其他方法来实现这一目标？
Michael
