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[参考译文] ISO5451-Q1：输出驱动电流相对于温度的建模

admin
Guru**** 2606725 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/761741/iso5451-q1-modeling-of-output-drive-current-with-respect-to-temperature

器件型号：ISO5451-Q1

您好！

在"输出驱动电流与温度的典型特性"中、页码 11、图4和图5表示

该图用于高侧驱动器的不同 VCC2-Vout 和低侧驱动器的不同 Vout-VEE2

  • 我想知道、当 MOSFET 导通时、高侧和低侧 FET 上是否会有如此大的压降
  • 输出驱动电流是峰值电流或稳定电流
  • 如果可能、您能否提供 Ron 变化与温度曲线

此致、

Komal Divate

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    TI__Guru**** 2606725 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Komal、

    感谢您的联系。 要回答您的问题：

    内部 FET 的 RDSON 上的压降将取决于流经 FET 的电流。  

    2.最好将其视为输出电流能力。 如果 VDS 上有足够的电压、则可以支持驱动电流。

    3.最大上拉电阻为4OHM，下拉电阻为2.5OHM。 最小值可以是最大值的25%。  

    此致、

    熊