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[参考译文] BQ25703A：推荐使用 BQ25703A 的功率 MOSFET

admin
Guru**** 2577385 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A, TAS5805M

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/759545/bq25703a-recommend-power-mosfets-of-bq25703a

器件型号：BQ25703A
主题中讨论的其他器件： TAS5805M

你好

请帮助我向我推荐 BQ25703A 的功率 MOSFET，谢谢，EVM 参考设计 MOSFET 对于我的应用有太大的裕度，

应用：智能扬声器，2个8W 扬声器，PA 将选择 TAS5805M， 2-S 4.2V 锂电池，3000mAh/电池，充电器电流小于2A，适配器为5V/2A 或9V/1.5A，系统端可能有总共6A 的需求

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    TI__Guru**** 2577385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Fandy、

    Q1-Q4降压/升压功率 FET 是12A FET、Q7电池 FET 是15A FET、Q5和 Q6是8.5A FET。 所有电流似乎都低于您所需的电流电平。 哪个 FET 规格没有足够的裕度？
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    TI__Guru**** 2577385 points
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    您好！

    在我们的 EVM 板中、我们可以处理至少65W 的额定功率。 因此、根据您的规格、我认为我们的 MOSFET 应该没有问题。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2577385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Paul
    实际上、我认为 EVM 的 MOSFET 电压和电流裕度太大、对我的应用来说有点浪费、我希望节省成本
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    TI__Guru**** 2577385 points
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    您好 Fandy、

    我建议您使用 Qg (栅极电荷)~ EVM 值为6nC (4.5V 时)、R_DSON ~ EVM 值为10m Ω(4.5V 时)和 V_GSTH ~ 1.6V 的开关 FET

    根据您的描述、您可能能够降低对 V_DS 和 I_D 的要求 TI 拥有一款出色的参数搜索工具、位于：
    www.ti.com/.../products.html

    下面是已插入 Qg、R_DSON 的搜索
    www.ti.com/.../products.html

    您可以从这些 V_DS、I_D 和其他参数中进行选择、以满足您对应用的满意裕度。

    下面是 PFET 选择器工具：
    www.ti.com/.../products.html


    此致、
    Steve