[参考译文] LM5022-Q1：MOSFET 在作为升压转换器的高频运行时过热

你好。

我将进行您所做的修改。

当您说高 HFE 时、您建议使用哪些值？

非常感谢您的参与、

此致、

Joel

您好、Yohao 先生、

我尝试更改 BC337 和 BC327的 BJT 、结果如下：

黄色为 PIN5

蓝色是 MOSFET 的栅极。

电压现在保持不变(200kHz 时)、但 MOSFET 仍然过热。

我移除了 R7、但振铃过多、因此我将 R7降低至4.7欧姆。

您知道还有什么问题吗？

提前非常感谢！

此致、

Joel

您好、Yohao 先生、

栅极电阻器已经有一个肖特基二极管(SMD1200PL)、用于快速关断。

我在 G 和 S 之间添加了一个电容器、以消除电路中的一些振铃。

以前：

在 G 和 S 之间的0.01 μ F 陶瓷电容器之后

如果没有导通振铃、过热会减缓并改善、但仍然变得过热、无法运行、MOSFET 达到100°C 以上

我尝试在 G 和 S 之间添加一个齐纳二极管、尝试"钳制"负电压、但没有结果。

您是否有另一个建议来消除关断振铃？

非常感谢您的参与。

Joel

尊敬的 Youhao 先生：

我短接了驱动器、现在我将使用20欧姆栅极电阻器和用于放电的肖特基二极管直接从 LM5022驱动 MOSFET：

VCC 为12V

这是引脚5处的波形

这是在栅极上、没有驱动器、只有肖特基二极管和20欧姆电阻。

将电阻器从20欧姆更改为10欧姆仅会损坏5022。

我还尝试为 MOSFET 添加缓冲器、但它不起作用。 RC 为10欧姆1nF。

这是布局：

为了防止任何噪声进入电路、一切都非常接近。

我们使用的 MOSFET 位于左侧。

电感器位于右侧的上部、旁边的左侧是二极管。

非常感谢您的参与、

此致、

Joel

波形显示了布局问题：沿栅极驱动信号路径有明显的寄生电感、电感会引起振铃。 请帮助将驱动信号从 IC 引脚5跟踪到 MOSFET 栅极、然后通过 CS 感应电阻器从源极返回到 IC GND 引脚。 这将帮助我们了解如何改进布局以避免栅极驱动振铃。

谢谢、
Youhao

尊敬的 Youhao 先生：

我们为新的 PCB 更改了 PCB (未对其进行任何测试)、并显著改善了振铃问题。

问题是、一旦我们向 MOSFET 添加4.5A 负载、我们仍然会使 MOSFET 热性能降低。

这是我们现在得到的信号：

根据您之前的建议、MOSFET 源极几乎直接连接到 CS 和 GND。 至于栅极驱动电路、它可能是一条较长的路径。

您是否还有其他建议或波形要检查？

非常感谢您的参与、

此致、

Joel

您好、Joel、

Youhao 不在办公室。 他将于下周二回来、并应能为您的问题提供支持。

谢谢、

Garrett

您好、Joel、

感谢您的更新、波形要好得多。 这是在 MOSFET 栅极上吗？ 上升沿仍然很慢、您可以将10欧姆栅极电阻器 R1、R5和 R7减小为等于2欧姆、然后查看上升沿是否可以更快。

上升沿还显示了栅极驱动电路中迹线电感的影响。 导入路径最多为两个：

(1)驱动器：您的外部驱动器输出和返回必须靠近 IC、并且您应该跟踪驱动器电流路径、并确保它是直接的、短的并且不会占用较大的空间。
(2)电流感应：CS 信号应直接来自 CS 电阻器、发送到 IC 的感应信号应短而直接、并且不会因 IC GND 引脚返回到 CS 电阻器 GND 焊盘的返回路径而封闭较大的空间区域。

谢谢、
Youhao

尊敬的 Youhao：

我们决心使用不同的电流路径和更近的驱动器来实现另一个 PCB。

我们还有一个有关 IC 的问题、因为需要注意的是、这不应在低于200kHz 的频率下工作、但我们在100kHz 的频率下使用它。 为什么不能在这个频率下使用它？

非常感谢您的参与、

此致、

Joel