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[参考译文] UCC27211:HO 在连接 N 沟道 MOSFET 后保持低电平

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI, UCC27211

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/774335/ucc27211-ho-stays-low-after-a-n-channel-mosfet-is-connected

器件型号:UCC27211
主题中讨论的其他器件:TINA-TI

大家好、阅读这篇文章的人、

对于一个项目、我将尝试使用 UCC27211高侧和低侧 MOSFET 驱动器。 我想使用上述驱动器和 N 沟道 MOSFET (SQP90142E)制作一个"功率"放大器。 但似乎无法使驱动程序正常工作。 作为参考、我使用了可用于 TINA-TI 的"UCC27211瞬态分析"(见下图)。 我用我打算使用的 N 沟道 MOSFET 的粗略估算调整了电容器负载(CloadHO 和 CloadLO)。 电路构建后、我用示波器测量了 HO 和 LO 输出。 我认为该图是正确的(减去侧面的巨大瞬变、但这可能是由于我使用了试验板(A))。

仅当我将 N 沟道 MOSFET 栅极连接到 LO 和 HO 输出(不进一步连接到 MOSFET)时、HO 输出变为0、即使不再连接、也不会恢复。 当我尝试使用仅包含一个 UCC27211的电路构建数据表中所述的电路时。 无论 HI 和/或 LI 的时序如何、MOSFET 将直接导通。  

是否有人已经经历过这种情况或知道解决方案、我很高兴听到这种情况。

此致、

RemCo

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Remco、
    感谢您关注 UCC27211驱动器。 为了能够提供最佳建议、我需要查看驱动器、MOSFET 和连接到动力总成的负载的原理图。 对于 HB 驱动器中高侧驱动器的用户、我们看到的一个常见问题是浮动 HB 偏置以及为 HB-HS 电容器充电和保持该电容器电荷所需的序列。
    HB 和 HO 以 HS 开关节点为基准。 HB-HS 电容器通常在 LO 打开时充电、这会强制 HS 开关节点接近接地。 此时、HB 电容器从 VDD 通过自举二极管充电至 HB。
    您能否在描述的条件下确认 HO、HB 和 HS 波形?
    如果仍有问题、请提供 HI、HO、HB 和 HS 波形的原理图和示波器图、以便我进行评论。

    此致、
    Richard Herring
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    感谢您的快速回复。 我将在下一个设置中执行这些测量。 我现在已经忙了,希望我能尽快回复你。

    我现在还有一个问题(只是为了验证我是否理解 HI 和 LI 所需的时间)。 如果我希望只有高侧 N 沟道 MOSFET 导通、 HI 需要为高电平、LI 需要为低电平。 反之亦然。 如果我希望只有低侧 N 沟道 MOSFET 导通、HI 需要为低电平、LI 需要为高电平。 我对这项陈述是否正确?

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    您好、Remco、

    当您有机会进行一些测量时、您可以联系我们以获得进一步的帮助。

    问题。 您的陈述是正确的、因为 HO 为高电平、LO 低电平 HI 需要高电平、而 LI 需要低电平。 如果两个输入都为高电平、则该驱动器允许两个输出都为高电平、输出将跟随输入。 如果您希望 HO 和 LO 不同时导通、则 LI 和 HI 输入不需要同时处于高电平、最好具有一些死区时间、以便 HO 和 LO 输出有时间对 MOSFET 栅极电荷进行放电。

    对于任何更新或问题、您可以在此主题上发帖。

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    我有一些时间来改进电路的设计。 而是在试验电路板上、它现在组装在性能电路板上、尝试遵循数据表中的规则。 由于它似乎在500kHz 的频率下工作、因此看起来这方面有了显著的改进。 当我尝试以800kHz 的频率工作时、它才会很快发热(驱动器消耗~100mA)。 如果我仍在处理它、我将对此提出另一个问题(如果无法帮助我处理 UC27211发热时可用的令人兴奋的帖子)。
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    您好、Remco、
    感谢您的更新。 是的、如果您有其他问题、我建议您开始新的主题。 此时、您似乎能够在高开关频率下工作。

    此致
    Richard Herring