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器件型号：LMG5200EVM-02 主题中讨论的其他器件：LMG5200
您好！
使用0至36.3欧姆的可变负载电阻器在开关频率(1MHz 和10MHz)下测试电路板时、高侧 GaN MOSFET 发生故障。 我测量了输入阻抗、它非常低(6欧姆)。 这样做的原因可能是什么？ LMG5200的数据表显示、可以将晶体管开关频率切换至10MHz、因此我不认为是高开关频率导致了这种情况。
注意：我已将板载电感器替换为280nH 的平面螺旋电感器(单层)。 在后续阶段、我必须使用具有不同绕组布局的双层线圈进行测试。 
还有一个问题、当我看到开关节点的输出时、我无法看到生成的任何死区时间、如评估板的用户指南中所示。 因此、我放置了来自信号发生器和开关节点输出的 PWM 信号的输出、并尝试测量它。 这是正确的方法吗？ 
谢谢、
Girish
