• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 4 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 64 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5145：在单脉冲5.5us 的情况下、您是否有 SOA 曲线？

admin
Guru**** 1831450 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A, LM5145
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/777467/lm5145-do-you-have-any-soa-curve-in-case-of-5-5us-single-pulse

器件型号：LM5145
主题中讨论的其他器件：CSD19534Q5A、

 大家好、

 我的一位客户正在评估降压开关稳压器的 CSD19534Q5A。

 他们 对 SOA 有2个问题、如下所示。

1. 如果是5.5us 单脉冲，您是否有 SOA 曲线？ 如果答案是否定的、您能告诉我用于计算的任何公式吗？

如果该 FET 用于降压开关稳压器的低侧 FET、则稳压器的电感器电流 将流过

    死区时间期间(低侧 FET 关断周期) FET 的寄生二极管。

    您是否拥有寄生二极管的任何 SOA 数据。 或者、您是否有用于 SOA 计算的公式？    

 非常感谢您的答复。

 此致、

 Kazuya Nakai。

 

  • 0
    TI__Guru**** 1831450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    这似乎是一个 FET 问题、我将向 FET 组转发该信息。

    谢谢
    -Arief
  • 0
    TI__Guru**** 1831450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Nakai San、
    感谢您提出问题。 请参阅 SOA 上的博客： e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-2-safe-operating-area-soa-graph。 数据表中的曲线是根据实际测试数据生成的-未计算。 我们测试失败并从那里降额。 对于(1)、CSD18543Q5A 数据表中的 SOA 曲线仅下降至10us 脉冲宽度。 使用10us 脉冲宽度时、客户应该是安全的。 正如我在上面指出的、没有计算。 对于(2)、我们不测试体二极管的 SOA、也不对此进行计算。 体二极管的峰值正向电流额定值小于 FET 数据表中指定的峰值漏极电流、因为体二极管上的正向压降 Vf 大于 ID x RDS (on)。 鉴于 LM5145的死区时间非常短、因此 FET 的体二极管不需要考虑 SOA。
  • 0
    TI__Guru**** 1831450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、John、

    非常感谢您的快速回复。
    我可以很好地理解、因为您的回答。

    我可以再问几个问题吗？
    问题3. 可通过客户使用的 CSD19534Q5A 体二极管流出多少电流
    在器件死区时间(典型值14ns)内？
    它是10A、因为我可以在电气特性表中看到10A 作为"二极管 CHARACTERIZICS"的条件吗？

    问题4. 体二极管的消耗功率是否可以通过以下公式计算？
    体二极管功率(W)= VSD (V)* ISD (A)*打开/关闭时的总死区时间(ns)*开关频率(Hz)。

    谢谢、此致、
    Kazuya Nakai。
  • 0
    TI__Guru**** 1831450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Nakai San、
    体二极管连续电流和峰值电流额定值不同于数据表中指定的 FET 额定值、因为二极管 VF 通常大于 ID x RDS (on)。 它都归结为功率耗散(IDS^2 x RDS (on)与 ISD x VF)和热性能。 在数据表的第1页上、FET 的连续电流额定值为10A、单位为1平方英寸。 2盎司 典型 Rtheta (j-a)= 40°C/W @ 25°C 的铜焊盘。 这相当于3.2W 的功率耗散：PD =(Tj (max)- 25°C)/Rtheta (j-a)=(150 - 25)/40 = 3.125W、该值四舍五入到3.2W。 对于通过体二极管的相同损耗、电流为 ISD = PD/VF = 3.2W/1V = 3.2A。 这是25摄氏度下体二极管的连续电流额定值。 同样、峰值电流额定值可通过峰值功率耗散进行计算：ISDpeak = 63W/1V = 63A。

    在降压转换器中、在死区时间期间、二极管将承载与 FET 相同的峰值和谷值电流。 当高侧关断时、电感器电流达到峰值、当低侧 FET 关断时、电感器电流达到谷值。 您在数据表中看到的10A 是测量正向电压和反向恢复的测试条件、不是二极管的额定电流。

    请参阅此应用手册 ：www.ti.com/.../slyt664.pdf。 第4页对人体损失有很好的解释。 体二极管在高侧 FET 关断后、低侧 FET 导通之前以及低侧 FET 关断后和高侧 FET 导通之前的死区时间内传导电流。