嗨、Michele、

我是高功率驱动器组的应用工程师、可以帮您解决问题。感谢您附加原理图、这对您有很多帮助。

虽然我可以建议一些改进和注意事项、但您的原理图对于驱动这些晶体管看起来是正确的。 1nF 电容器(C4和 C5)可以很好地测试驱动强度、但要确保它们未被组装在最终原理图中。在 MOSFET 栅极上放置10k 下拉电阻器。此外、最好在栅极上放置钳位二极管。

您选择的 FET 看起来只需一个 FET 即可驱动您的电机、与20A 规格相比、它的连续工作电流高达80A。如果需要、您可以将此特性降至1 FET 设计。

最好在有源 PWMed IN+上添加输入滤波器和下拉电阻器。 L1是否为铁氧体磁珠？这种额外的电感将位于驱动电流路径中、并将影响 FET 的导通和关断速度。如果运行分离接地、则应使驱动器旁路电容器以 GND_Motor 为基准、IN+滤波器以 GND_P 为基准

如果这有助于回答您的问题、您可以按下绿色按钮吗？

如果没有、请随时提出后续问题、我们会尽快回复您。

谢谢、此致、
John

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

大家好、非常感谢您的帮助、总结一下、我对您的建议进行了更正：

-是的，C4、C5电容器未安装；我只将其用于 EMI 测试，而不是这两个电容器，我只能在 PCB 布局出现栅极过冲问题时放置齐纳二极管(BZX85B13)。
-是的、我在每个 MOSFET 的栅极/源极引脚附近添加了一个电阻器、我对这个高功率 MOSFET 的10K 和22K 之间的值有疑问(我看到您的参考设计)、我认为输入12K
-是出于安全考虑、我选择非常大的 MOSFET 高 VdssMax、IdssMax 和导通电阻极低(10、7m Ω)
原因是我的散热器体积小、尺寸小。在测试过程中、如果我获得满意的结果、我将只安装一个 MOSFET
好的、我在微控制器 STM STM32F100 RBT6B 提供的网络 PWM_M 上添加了一个 C 滤波器和下拉电容器
-是的，我更改了接地拓扑，我经常在接地隔离中使用铁氧体磁珠，以实现 EMI 抑制抗扰性。但在这种情况下、为了不影响开关开/关上升/下降沿、我更改了 GND_MOTOR 并将其连接到 IC4 IN-、GND 引脚以及 C1、C2、C3旁路电容器、而 PWM_H 微控制器引脚以 GND_P 为基准 (这是相同的 GND、但具有 EMI 铁氧体滤波器)

一切都好吗？？
谢谢你

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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嗨、Michele、

铁氧体磁珠是一个很好的好处、正如您提到的、我通常在 MOSFET 的栅极上看到的、它可以抑制高频 EMI 噪声并防止 FET 误导通/关断、但这也是一个好处、不一定是一项要求。
总体而言、您所做的更改似乎是合理的。

如果您遇到问题或需要进一步帮助、请告知我们。

此致、

-Mamadou

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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非常感谢，完美！我继续进行设计
尽快与您联系
此致

米歇尔

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] UCC27511：用于驱动两个并联 MOSFET 的低侧栅极驱动器