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[参考译文] CSD18540Q5B:在饱和模式下使用 CSD18540Q5B 作为灌电流(恒定电流4.5A)。 是否会有任何问题?

Guru**** 2383340 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/773959/csd18540q5b-using-csd18540q5b-in-saturation-mode-as-a-current-sink-constant-4-5a-will-there-be-any-issues

器件型号:CSD18540Q5B

您好!

我设计了一个电路、使用 CSD18540Q5B 作为短时恒定电流吸收器(4.5安培、持续20ms)、并在 SPICE 中成功仿真。 CSD18540Q5B 在饱和区域运行、并由运算放大器(与所附图片类似、但感应电阻小得多)控制。 我使用数据表中基于外壳/环境温度的结温计算和降额 SOA 图、根据功率耗散验证 MOSFET 不会损坏。 但是、 同行设计评审中警告我、有些 MOSFET 不"喜欢"在饱和区运行、并且平面栅极 MOSFET 在饱和区运行更好、但 Trent 或 Super Junction 结构具有可能饱和并导致 MOSFET 烧断的栅极区域。 我是否需要担心 CSD18540Q5B 在上述饱和区域的运行出现问题、并根据其设计的架构而损坏?

谢谢、Nick

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    您好、Nick、
    感谢您的提问。 您能为我提供有关该应用的更多详细信息吗? 当 FET 灌电流为4.5A 时、20ms 内的 VDS 是什么? 我将进一步研究这一点、以确定是否存在潜在问题。
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    尊敬的 John:

    有一个2 Ω 和1 Ω 串联电阻器、它们位于电源和 CSD18540Q5B 之间。 电源电压范围为15V 至34V。 当电源电压为15V Vds = 0.543V (55°C 时)至3V (-55°C 时)、而在34V 电源电压下 Vds = 19.55V (55°C 时)至22.08V (-55°C 时)。

    如前所述、该电路仅导通20毫秒、持续(标称值)消耗4.5A 电流。 注意:仿真还给出了以下结果:

    对于15V-34V 设计、在15V 和55V 电源下以5°C 的阶跃在-55°C 至125°C 的温度范围内运行:
    •电流:3.837A (15V 电源、-55°C)至4.721A (34V 电源、55°C)。
    •2 Ω R 功率:29.45W (15V、-55°C)至44.58W (34V 电源、55°C)
    •CSD18540Q5B 电源20ms:2.57W (15V 电源、55°C)至92.54W (34V 电源、125°C)
    CSD18540Q5B 结温范围:72.44°C (15V 电源、55°C)至122.82°C (34V 电源、125°C)

    谢谢、

    Nick
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    您好、Nick、
    您似乎已经完成了对电路进行分析和仿真的作业。 我曾与一位同事进行过协商。 我们听说过关于沟道与平面的类似评论、但 SJ 与平面的评论并不相同。 在任何情况下、与沟道或 SJ 器件相比、同一 RDS (on)的平面器件通常具有更大的裸片尺寸。 因此、它们往往具有更好的 SOA 和热处理功能。 但是、我们相信只要器件在 SOA 界限内运行并具有适当的热降额、您就不会遇到任何问题。 请注意、数据表中的 SOA 曲线基于25摄氏度下的测试、建议在更高的工作温度下降额。 我可能已经向您指出了此博客: e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-2-safe-operating-area-soa-graph和视频培训: training.ti.com/understanding-mosfet-datasheets-safe-operating-area-soa、它们对于这种类型的应用非常有用。

    某些供应商在 SOA 是典型性能的情况下表现迅速而松散。 但是、TI 认为我们的性能是我们保证的最坏情况能力(即使我们不保证它与生产中测试的绝对最大值表相同)。 我们的所有测试都是针对故障进行的、我们会根据该数据进一步降低 SOA 曲线、从而确保足够的设计裕度。 此60V 器件技术系列已经过其他供应商器件的测试、我们对其稳健性充满信心。
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    谢谢 John、

    您的大帮!

    Nick