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器件型号:CSD18540Q5B 您好!
我设计了一个电路、使用 CSD18540Q5B 作为短时恒定电流吸收器(4.5安培、持续20ms)、并在 SPICE 中成功仿真。 CSD18540Q5B 在饱和区域运行、并由运算放大器(与所附图片类似、但感应电阻小得多)控制。 我使用数据表中基于外壳/环境温度的结温计算和降额 SOA 图、根据功率耗散验证 MOSFET 不会损坏。 但是、 同行设计评审中警告我、有些 MOSFET 不"喜欢"在饱和区运行、并且平面栅极 MOSFET 在饱和区运行更好、但 Trent 或 Super Junction 结构具有可能饱和并导致 MOSFET 烧断的栅极区域。 我是否需要担心 CSD18540Q5B 在上述饱和区域的运行出现问题、并根据其设计的架构而损坏?
谢谢、Nick