• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 107 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS54260：内部高/低侧 MOSFET 上升和下降时间

admin
Guru**** 2747345 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS54260

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/772529/tps54260-internal-high-low-side-mosfet-rising-and-falling-time

器件型号：TPS54260

大家好、

能否帮助我们为动态参数提供内部导通和关断上升/下降时间？ TPS54260具有高/低侧 MOSFET。 因为我想计算热问题。

感谢您的大力支持、

  • 0
    TI__Guru**** 2747345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    一般而言、我们无法提供这些信息。
    但是、Webench 工具可用于估算效率和热性能。
  • 0
    TI__Guru**** 2747345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、先生、
    我知道、webench 可以估算热性能、但此测试在 TI EVM 板上经过验证、而不是在客户系统板上进行。
    我想知道为什么没有提供？
  • 0
    TI__Guru**** 2747345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    内部开关的上升/下降时间取决于驱动器强度和栅极电荷
    电压。 此信息属于 TI 专有信息。

    Webench 应该能够给出 EVM 的近似估算值。

    确定热性能的最佳方法是测量整体效率并计算总损耗。
    然后减去电感器和二极管的损耗、假设存在所有导通损耗。 净损耗在器件和中
    可用于根据器件和电路板的热参数估算结温。
  • 0
    TI__Guru**** 2747345 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    由于不活动、我正在关闭此帖子。